Лабораторные работы по основам промышленной электроники. Николаев Г.М - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

фиксированных значениях тока базы. I
k
=f
2
(V
ke
)
тб
=
konst
.которую на-
зывают семейством выходных или коллекторных характеристик
транзистора. (рис. 3.3б).
Как видно на рисунке 3.3а входная характеристика практи-
чески не зависит от напряжения V
кэ
. Выходные характеристики
(рис.3.3б) приблизительно равноудалены друг от друга и почти
прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения V
кэ
.
Таким образом электрическое состояние транзистора, включенно-
го по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя вели-
чинами I
б,
V
бэ,
I
r.
V
кэ.
Обычно независимыми величинами берут
I
в
, V
кэ
. Тогда V
бэ
=F
1
(I
б,
V
кэ
). и I
к
=F
2
(I
б,
V
кэ
).
Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисто-
рами используют так называемые h-параметры транзистора,
включенного с общим эмиттером. В пределах линейной части
характеристик эти h-параметры могут быть найдены по соответ-
ствующим приращениям токов и напряжений:
h
11=
∆V
бэ
/ ∆I
б
при V
кэ
=const (∆V
кэ
=0)
h
12Э
=∆V
БЭ/
∆Vкэ при I
Б
=const (∆I
Б
=0)
h
21Э
=∆V
К
/∆V
Б
при V
КЭ
=const (∆V
КЭ
=0)
h
22Э
=∆ik/∆V
kЭ
при I
Б
=const (∆I
Б
=0)
Параметр h
11э
представляет собой входное сопротивление
биполярного транзистора. Параметр h
12э
– безразмерный коэффи-
циент внутренней обратной связи по напряжению
( h
12э
= 0,002- 0,0002). Параметр h
21э
безразмерный коэффициент
передачи тока. Параметр h
22э
- характеризует выходную проводи-
мость транзистора при постоянном токе базы. h- параметры тран-
зистора позволяют достаточно просто создать схему замещения
транзистора, в которой присутствуют только резисторы и управ-
ляемый источник тока (рис.3.4.)
- 13 -
Uбэ
Uкэ
Iк
I=h21 Iб
h11
1/h22
Iб
A
V
Г Т
A
V
ГТ1
Рис. 3.4. Рис. 3.5.
h- параметры необходимые находить по семейству соответ-
ствующих характеристик вблизи рабочей точки.
Порядок выполнения работы
В работе используются: ,ГТ, ГН2, АВ1, АВ2, АВ0, ИзмВ,
съемный элементV-КТ31БА, сменная панель 17Л-03\ 13.
1 Собрать схему.
2 Снять входную характеристику транзистора I
б
=f(V
б
)
при V
кэ
= . . . . .данные занести в таблицу 3.1
Таблица 3.1.
I
б,
мкА
V
бэ
,В
3 Снять семейство выходных характеристик транзистора
I
r
=f(V
кэ
) при токах базы I
б
=0
Данные занести в таблицу 3. 2.
- 14 - 
фиксированных значениях тока базы. Ik=f2 (Vke)тб=konst.которую на-       Iб        I=h21   Iб                                     A
зывают семейством выходных или коллекторных характеристик                                         Iк
транзистора. (рис. 3.3б).
                                                                                                1/h22                  A
      Как видно на рисунке 3.3а входная характеристика практи-        Uбэ h11                                                         V    ГТ1
чески не зависит от напряжения Vкэ. Выходные характеристики                                             Uкэ
                                                                                                              ГТ           V
(рис.3.3б) приблизительно равноудалены друг от друга и почти
прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения Vкэ.
Таким образом электрическое состояние транзистора, включенно-
го по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя вели-                       Рис. 3.4.                                  Рис. 3.5.
чинами Iб, Vбэ, Ir. Vкэ. Обычно независимыми величинами берут
Iв, Vкэ. Тогда Vбэ=F1(Iб,Vкэ). и Iк =F2(Iб,Vкэ).                          h- параметры необходимые находить по семейству соответ-
      Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисто-       ствующих характеристик вблизи рабочей точки.
рами используют так называемые h-параметры транзистора,
включенного с общим эмиттером. В пределах линейной части                               Порядок выполнения работы
характеристик эти h-параметры могут быть найдены по соответ-
ствующим приращениям токов и напряжений:                             В работе используются: ,ГТ,  ГН2, АВ1, АВ2, АВ0, ИзмВ,
                                                                     съемный элементV-КТ31БА, сменная панель 17Л-03\ 13.
         h11= ∆Vбэ/ ∆Iб     при Vкэ=const         (∆Vкэ=0)                 1 Собрать схему.
         h12Э=∆VБЭ/∆Vкэ     при IБ=const          (∆IБ=0)                  2 Снять входную характеристику транзистора Iб=f(Vб)
         h21Э=∆VК/∆VБ       при VКЭ=const          (∆VКЭ=0)                   при Vкэ= . . . . .данные занести в таблицу 3.1
         h22Э=∆ik/∆VkЭ      при IБ=const          (∆IБ=0)
      Параметр h11э представляет собой входное сопротивление
биполярного транзистора. Параметр h12э – безразмерный коэффи-                                                                     Таблица 3.1.
циент внутренней обратной связи по напряжению                        Iб, мкА
( h12э= 0,002- 0,0002). Параметр h21э безразмерный коэффициент       Vбэ,В
передачи тока. Параметр h22э- характеризует выходную проводи-
мость транзистора при постоянном токе базы. h- параметры тран-                 3   Снять семейство выходных характеристик транзистора
зистора позволяют достаточно просто создать схему замещения                        Ir =f(Vкэ) при токах базы Iб=0
транзистора, в которой присутствуют только резисторы и управ-
ляемый источник тока (рис.3.4.)                                                Данные занести в таблицу 3. 2.




                              - 13 -                                                                          - 14 -

Страницы