Лабораторные работы по основам промышленной электроники. Николаев Г.М - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

между р- каналом и
полупроводником п-типа,
который находится у
затвора, включен в
обратном направлении.
Ширина каждого р-п
перехода влияет на ширину
а) б) р- канала и в конечном
Рис. 4.1 счете на его проводимость.
В транзисторе с п- каналом основными носителями заряда
являются дырки, которые движутся в направлении снижения потен-
циала, поэтому V
си
< 0, V
зи
≥0. Когда суммарное напряжение дос-
тигает напряжения запирания
V
си
+ ( V
зи
) =V
зап
.
Сопротивление канала резко возрастает.
Зависимость тока стока I
с
от напряжения V
си
при постоянном
напряженииV
зи
называются выходными (стоковыми) вольт - ампер-
ными характеристиками полевого транзистора ( рис 4.2).
Ic[mA]
Uзи=0
-1
-2
-4
-3
Ucи[B]
Рис 4.2. Рис. 4.3.
Как видно из данных вольт – амперных характеристик ток стока I
c
возрастает с увеличением V
си
, затем этот рост тока прекращается
- 17 -
(участок насыщения). Данный участок насыщения является рабочей
областью выходных характеристик полевого транзистора. Увеличе-
ние значения отрицательного напряжения V
зи
между затвором и ис-
током ведет к укорачиванию участка насыщения. Дальнейшее увели-
чение напряжения V
си
может привести к пробою р-п перехода ме-
жду затвором и каналом и тем самым к выходу из строя транзисто-
ра.
По выходным характеристикам может быть построена переда-
точная характеристика I
с
= f(V
зи
) (рис.4.3). На участке насыщения
она практически не зависит от напряжения V
си.
Основными параметрами полевых транзисторов являются кру-
тизна характеристики передачи
S = dI
c
/ dV
pb │
V
си
= соnst
и дифференциальное сопротивление стока на участке насыщения
R
c
= dV
си
/ dI
c
|V
зи
= const
Для полевых транзисторов с р-п переходом S= 1-20 мА/В,
R
с
=0.1-0.5Мом.
В качестве предельно допустимых параметров нормируется
максимально допустимое напряжение V
си мах
и V
зи мах
:
максимально
допустимая мощность стока
Р
с мах
; максимально допустимый ток
стока I
c мах.
Для полевых транзисторов
с р-п переходом V
си мах
= 5-
100 В,Р
с мах
=0,1-10Вт, I
c мах
= 10-1000 мА.
Порядок выполнения работ
В работе используются: ГН1, ГН2, АВ1, АВ2, И
зм
В, съемный
элемент V-КП103И, R=1кОм (переменное), сменная панель17Л-03/ 14
1 Установить панель. Поместить транзистор V-КП10ЗИ, а
также сопротивление R в гнезда. Соблюдая полярность подключить
генераторы напряжения ГН1 и ГН2.
2 Снять выходные характеристики I
c
=f(V
cи
) полевого транзи-
стора при заданных преподавателем значениях Изм. Данные внести в
таблицу 4.1 и по данным построить соответствующие вольт- ампер-
ные характеристики полевого транзистора.
- 18 -
Ec
E
3
I3
Ic
Ik
исток
исток
n-тип
n-тип
p-n переход
затвор
ис
3
0Uзн[B]
Iс[мА]
                                  и       с



     затвор
                                                                                    (участок насыщения). Данный участок насыщения является рабочей
                                      3
                                  исток
                                                       между р- каналом и           областью выходных характеристик полевого транзистора. Увеличе-
 исток            n-тип
                                                       полупроводником п-типа,      ние значения отрицательного напряжения Vзи между затвором и ис-
                                                       который находится у          током ведет к укорачиванию участка насыщения. Дальнейшее увели-
           Ik                              p-n переход затвора, включен в           чение напряжения Vси может привести к пробою р-п перехода ме-
        E
                  n-тип                                обратном  направлении.       жду затвором и каналом и тем самым к выходу из строя транзисто-
        3
                                                       Ширина каждого р-п           ра.
          I3            Ec     Ic
                                                       перехода влияет на ширину         По выходным характеристикам может быть построена переда-
            а)                          б)             р- канала и в конечном       точная характеристика Iс= f(Vзи) (рис.4.3). На участке насыщения
                        Рис. 4.1                       счете на его проводимость.   она практически не зависит от напряжения Vси.
              В транзисторе с п- каналом основными носителями заряда                     Основными параметрами полевых транзисторов являются кру-
являются дырки, которые движутся в направлении снижения потен-                      тизна характеристики передачи
циала, поэтому Vси < 0, Vзи ≥0. Когда суммарное напряжение дос-
тигает напряжения запирания                                                                                         S = dIc / dVpb │ Vси = соnst
                                    Vси+ ( Vзи) =Vзап.                              и дифференциальное сопротивление стока на участке насыщения
 Сопротивление канала резко возрастает.                                                                             Rc = dVси / dIc |Vзи = const
       Зависимость тока стока Iс от напряжения Vси при постоянном                        Для полевых транзисторов с р-п переходом S= 1-20 мА/В,
напряженииVзи называются выходными (стоковыми) вольт - ампер-                       Rс=0.1-0.5Мом.
ными характеристиками полевого транзистора ( рис 4.2).                                   В качестве предельно допустимых параметров нормируется
Ic[mA]
                                                                                    максимально допустимое напряжение Vси мах и Vзи мах: максимально
                  Uзи=0                                        Iс[мА]               допустимая мощность стока Рс мах; максимально допустимый ток
                                                                                    стока Ic мах. Для полевых транзисторов с р-п переходом Vси мах= 5-
                                                                                    100 В,Рс мах=0,1-10Вт, Ic мах= 10-1000 мА.
                     -1

                       -2                                                                             Порядок выполнения работ
                       -3
                                                                                          В работе используются: ГН1, ГН2, АВ1, АВ2, ИзмВ, съемный
                       -4
                                                                                    элемент V-КП103И, R=1кОм (переменное), сменная панель17Л-03/ 14
                                 Ucи[B]
                                              Uзн[B]                     0               1 Установить панель. Поместить транзистор V-КП10ЗИ, а
                                                                                    также сопротивление R в гнезда. Соблюдая полярность подключить
                                                                                    генераторы напряжения ГН1 и ГН2.
                Рис 4.2.                                  Рис. 4.3.                      2 Снять выходные характеристики Ic=f(Vcи ) полевого транзи-
                                                                                    стора при заданных преподавателем значениях Изм. Данные внести в
   Как видно из данных вольт – амперных характеристик ток стока Ic                  таблицу 4.1 и по данным построить соответствующие вольт- ампер-
возрастает с увеличением Vси, затем этот рост тока прекращается                     ные характеристики полевого транзистора.
                                          - 17 -                                                                   - 18 -

Страницы