Аналитический расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Николаева С.И. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

6
Рис. 2.1 – Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе
с общим эмиттером
Пример расчета
Задан транзистор ГТ-109Б.
Для этого транзистора
h
11Э
= 300 Ом;
h
12Э
= 12*10
-3
;
h
21Э
= 50;
h
22Э
= 75*10
-6
См ;
R
К
= 3,0 кОм;
U
Э0
= 2,2 В;
f
Н
= 40 Гц;
P
Кmax
= 0,030 Вт.
Общие данные: I
К0
= 1 мА; U
КЭ0
= 5 В; R
Н
= R
вх
. 
Рис. 2.1 – Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе
                       с общим эмиттером


                        Пример расчета

Задан транзистор ГТ-109Б.
Для этого транзистора
h11Э = 300 Ом;
h12Э = 12*10-3;
h21Э = 50;
h22Э = 75*10-6 См ;
RК = 3,0 кОм;
UЭ0 = 2,2 В;
fН = 40 Гц;
PКmax = 0,030 Вт.
Общие данные: IК0 = 1 мА;       UКЭ0 = 5 В;   RН = Rвх.


                            6

Страницы