Аналитический расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Николаева С.И. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

8
9. Входное сопротивление R
вх
усилителя определяется
параллельным включением сопротивлений R
1
, R
2
и входным
сопротивлением транзистора h
11Э
Тогда 1/R
вх
= 1/ R
1
+ 1/ R
2
+ 1/ h
11Э.
1/R
вх
= 1/56000 + 1/18000 + 1/300 = 3,4*10
-3
См;
R
вх
= 293 Ом.
10. Сопротивление нагрузки усилителя R
н
по условию задачи
принимаем равным входному сопротивлению, поскольку
нагрузкой усилительного каскада служит другой такой же каскад
R
н
= R
вх
= 293 Ом.
11. Сопротивление R
Э
R
Э
= U
Э0
/( I
К0
+ I
Б0
) = 2,2/(1 + 0,02)*10
-3
= 2,16*10
3
Ом = 2,16 кОм.
Принимаем номинальное сопротивление резистора 2,2 кОм.
12. Емкость шунтирующего конденсатора в эмиттерной цепи С
Э
выбирается по нижней границе частоты с учетом эмиттерного
дифференциального сопротивления транзистора r
Э
С
Э
> 1/2πf
н
r
Э
, где r
Э
= 2h
12Э
/h
22Э
.
r
Э
= 2*12*10
-3
/75*10
-6
= 0,32*10
3
Ом = 320 Ом;
С
Э
= 1/2π*40*320 = 0,0000124 Ф = 12,4 мкФ.
Принимаем емкость конденсатора С
Э
= 13 мкФ.
13. Емкость разделительного конденсатора С
р1
на входе усилителя
С
1
> 1/2πf
н
R
вх
= 1/2π*40*293 = 0,0000136 Ф = 13,6 мкФ.
Принимаем емкость конденсатора С
1
= 15 мкФ. 
9. Входное     сопротивление        Rвх     усилителя    определяется
  параллельным включением сопротивлений             R1, R2 и входным
  сопротивлением транзистора h11Э

  Тогда 1/Rвх = 1/ R1 + 1/ R2 + 1/ h11Э.

  1/Rвх = 1/56000 + 1/18000 + 1/300 = 3,4*10-3 См;

  Rвх = 293 Ом.

10. Сопротивление нагрузки усилителя Rн по условию задачи
  принимаем       равным    входному       сопротивлению,   поскольку
  нагрузкой усилительного каскада служит другой такой же каскад

  Rн = Rвх = 293 Ом.

11. Сопротивление RЭ

  RЭ = UЭ0/( IК0+ IБ0) = 2,2/(1 + 0,02)*10-3 = 2,16*103 Ом = 2,16 кОм.
  Принимаем номинальное сопротивление резистора 2,2 кОм.

12. Емкость шунтирующего конденсатора в эмиттерной цепи СЭ
  выбирается по нижней границе частоты с учетом эмиттерного
  дифференциального сопротивления транзистора rЭ

   СЭ > 1/2πfн rЭ, где rЭ = 2h12Э/h22Э.

   rЭ = 2*12*10-3/75*10-6 = 0,32*103 Ом = 320 Ом;

  СЭ = 1/2π*40*320 = 0,0000124 Ф = 12,4 мкФ.

  Принимаем емкость конденсатора СЭ = 13 мкФ.

13. Емкость разделительного конденсатора Ср1 на входе усилителя

  С1 > 1/2πfн Rвх = 1/2π*40*293 = 0,0000136 Ф = 13,6 мкФ.

  Принимаем емкость конденсатора С1 = 15 мкФ.


                              8

Страницы