Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs. Горшков А.П

UptoLike

Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs. Горшков А.П

РЕШЕНИЕ (файл) вывод, красное-белое: 

ВУЗ: 

ННГУ | Нижний Новгород

Дисциплина: 

ННГУ | Нижний Новгород - ФТТ

Составители: 

Формат файла: 

PDF

Ключевые слова: 

  • методические указания

Год: 

  • 2006

Количество страниц: 

18
Источник файла
В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 "Нанотехнологии в микроэлектронике". Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ.

Рекомендуемые учебно-методические материалы

Эффект Холла. Павлов Д.А
Павлов Д.А., Планкина С.М., Кудрин А.В.
Павлов Д.А., Планкина С.М., Кудрин А.В. Эффект Холла: Практикум. - Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2013. - 24 с.
Физика твердотельных наноструктур: Комплекс лабораторных работ. Филатов Д.О.
Просмотреть (PDF)
Филатов Д.О.
Комплекс лабораторных работ "Физика твердотельных наноструктур" / Сост. Д.О. Филатов. - Н.Новгород: ННГУ, 2010. - 63 с.
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si. Филатов Д.О
Просмотреть (PDF)
Филатов Д.О., Исаков М.А., Круглова М.В.
Филатов Д.О., Исаков М.А., Круглова М.В. Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si: Учебное пособие. - Н.Новгород: ННГУ, 2010. - 118 с.
Исследование квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs методами фотоэлектрической спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Павлова Е.Д
Просмотреть (PDF)
Павлова Е.Д., Волкова Н.С., Горшков А.П., Марычев М.О.
Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов. Асабина Е.А.
Просмотреть (PDF)
Асабина Е.А.
Асабина Е.А. Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов. Электронное учебно-методическое пособие. - Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. - 65 с.
Кинетика и морфология дислокационного роста граней кристаллов из раствора. Портнов В.Н
Просмотреть (PDF)
Портнов В.Н., Чупрунов Е.В.
Портнов В.Н., Чупрунов Е.В. Кинетика и морфология дислокационного роста граней кристаллов из раствора: Учебное пособие. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2010. - 131 с.
Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии. Максимов Г.А
Просмотреть (PDF)
Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.
Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В. Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2002. - 40 с.
Исследование оптических свойств поверхности твердых тел методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии (БСОМ). Филатов Д.О
Просмотреть (PDF)
Филатов Д.О., Круглов А.В., Левичев В.В.
Синтез и анализ многослойных оптических систем. Машин А.И
Просмотреть (PDF)
Машин А.И., Ершов А.В.
Машин А.И., Ершов А.В. Синтез и анализ многослойных оптических систем: Лабораторная работа по курсу "Квантовая и оптическая электроника". - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2007. - 21 с.
Исследование квантово-размерного эффекта Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом фотоэлектрической спектроскопии. Горшков А.П
Просмотреть (PDF)
Горшков А.П., Карпович И.А.
Измерения параметров полупроводников с помощью эффекта Холла. Агарев В.Н
Просмотреть (PDF)
Агарев В.Н., Карзанов В.В., Пантелеев В.А.
Агарев В.Н., Карзанов В.В., Пантелеев В.А. Измерения параметров полупроводников с помощью эффекта Холла: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2002. - 16 с.
Просветляющие покрытия в оптоэлектронике. Проектирование, материалы, особенности технологии. Ершов А.В
Просмотреть (PDF)
Ершов А.В., Машин А.И.
Ершов А.В., Машин А.И. Просветляющие покрытия в оптоэлектронике. Проектирование, материалы, особенности технологии: Лабораторная работа по курсу "Физико-химические основы технологии". - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2007. - 28 с.
Получение многослойных оптических покрытий методом электронно-лучевого испарения. Ершов А.В
Просмотреть (PDF)
Ершов А.В., Машин А.И.
Ершов А.В., Машин А.И. Получение многослойных оптических покрытий методом электронно-лучевого испарения: Лабораторный практикум для магистров. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2007. - 36 с.
Исследование топографии поверхностных твердых тел методом атомно-силовой микроскопии в неконтактном режиме. Филатов Д.О
Просмотреть (PDF)
Филатов Д.О., Круглов А.В., Гущина Ю.Ю.
Филатов Д.О., Круглов А.В., Гущина Ю.Ю. Исследование топографии поверхностных твердых тел методом атомно-силовой микроскопии в неконтактном режиме: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2003. - 23 с.
Геометрическая теория рассеяния ускоренных электронов на кристаллах: Описание к лабораторному практикуму по курсу "Методы исследования структуры твердых тел". Кудрявцева Р.В
Просмотреть (PDF)
Кудрявцева Р.В., Павлов А.Д., Шиляев П.А.
Фотоэффект. Воробьев В.М
Просмотреть (PDF)
Воробьев В.М., Кондраченко Л.А.
Воробьев В.М., Кондраченко Л.А. Фотоэффект: Описание к лабораторной работе. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2004. - 16 с.
Изучение колебательных свойств аморфного кремния методом ИК-спектроскопии. Ершов А.В
Просмотреть (PDF)
Ершов А.В., Машин А.И., Карабанова И.А.
Интерференционные многослойные зеркала в оптоэлектронике. Ершов А.В
Просмотреть (PDF)
Ершов А.В., Карабанова И.А.
Ершов А.В., Карабанова И.А. Интерференционные многослойные зеркала в оптоэлектронике: Лабораторная работа по курсу "Физико-химические основы технологии". - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2007. - 26 с.
Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления полупроводников. Агарев В.Н
Просмотреть (PDF)
Агарев В.Н., Пантелеев В.А.
Агарев В.Н., Пантелеев В.А. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления полупроводников: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2002. - 12 с.
Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs. Горшков А.П
Просмотреть (PDF)
Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О.
Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О. Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2006. - 18 с.