Электроника. Носов Г.В - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

36
10.По данным табл. 5.4 построить характеристику фазового управления
тиристора
0
()I ϕ .
Таблица 5.4
ϕ
град. 0 30 45 60 90
0
I
мА
11.Проанализировать полученные результаты и сформулировать выво-
ды по работе.
РАБОТА 6
ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы. Снять экспериментально и построить графики семейств
характеристик биполярного транзистора
n-p-n типа.
Пояснения к работе
Транзистор является полупроводниковым триодом, у которого тон-
кий
р – проводящий слой помещен между двумя n – проводящими
слоями (
n-p-n транзистор) или n – проводящий слой помещен между
двумя
р – проводящими слоями (p-n-p транзистор) (рис. 6.1).
Переходы p-n обладают выпрямительными свойствами полупровод-
никового диода.
В транзисторе
p-n-p типа (рис. 6.2,а) ток эмиттера к коллектору через
базу обусловлен неосновными для базы носителями заряда – дырками.

Страницы