ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
При положительном направлении напряжения
U
ЭБ
эмиттерный p-n пе-
реход открывается, и дырки из эмиттера проникают в область базы.
Часть из них уходит к источнику напряжения
U
ЭБ
,
а другая часть дости-
гает коллектора. Возникает транзитный ток от эмиттера к коллектору,
который резко возрастает с увеличением тока базы
I
Б
и напряжения U
ЭБ
.
В транзисторе n-p-n типа (рис. 6.2,б) транзитный ток через базу обу-
словлен также неосновными для базы носителями заряда – электронами.
Там они появляются из эмиттера под действием напряжения
U
БЭ
. Токи
эмиттера, коллектора и базы связаны между собой уравнением первого
закона Кирхгофа:
КЭБ
I
II
=
− .
Обычно ток базы
I
Б
существенно меньше токов I
Э
и I
К
. Отношение
приращения тока коллектора к приращению тока базы называется ко-
эффициентом усиления по току:
K
Б
∆
β
∆
I
I
= .
Этот коэффициент может иметь значение от нескольких десятков до
нескольких сотен единиц.
Свойства транзистора описываются четырьмя семействами характе-
ристик:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
