Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 138 стр.

Раздел 5


5.3. Элементы бортового оборудования
     космических аппаратов

Элементы наноэлектроники

  Выше отмечалось, что размеры топологических элементов со-
временных кремниевых интегральных микросхем, изготавливае-
мых традиционными методами литографии, уже могут быть ме-
нее 100 нм, т.е. формально такие объекты попадают в категорию
наноразмерных объектов. Однако к элементам наноэлектроники
принято относить диоды, транзисторы и различные логические
устройства, построенные на основе каких-либо наноструктур, в
первую очередь – на основе УНТ.
  Как уже указывалось в разд. 1, тип проводимости УНТ опреде-
ляется ориентацией их продольной оси относительно шести-
угольных ячеек, образующих поверхность трубок. В зависимости
от этого признака нанотрубок, который характеризуется углом
                                  хиральности (см. разд. 1), УНТ
                                  по типу проводимости могут
                                  относиться к металлам или по-
                                  лупроводникам. В первом слу-
                                  чае проводимость УНТ может
                  а               быть приблизительно на 3 по-
                                  рядка выше, чем у меди, а во
     1
           2             2        втором проводимость сильно
                                  зависит от воздействующего на
                                  трубку поперечного электриче-
                  3
                                  ского поля. Эти свойства УНТ
                                  делают их очень удобными для
                                  создания на их основе диодов и
                  U               транзисторов, при изготовлении
                  б               которых учитывается также, что
   Рис. 5.11. Изогнутая УНТ (а) и величина проводимости УНТ
   схема диода на ее основе (б)   зависит от их диаметра.

138