Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 139 стр.

         Нанотехнологии и наноматериалы в космической технике

  Простейший диод на основе УНТ можно представить в виде
двух соединенных нанотрубок с различным типом проводимости.
Одна из возможностей построения диода на УНТ заключается в
использовании изогнутой трубки, состоящей из двух частей с
различными углами хиральности (рис. 5.11а). К концам трубки
прикладывается электрическое напряжение через металлические
(Au) контакты, как показано на рис. 5.11б. В зоне изгиба таких
трубок структура нарушена за счет появления пятиугольных и
семиугольных ячеек. Такое сочетание трубок с металлической и
полупроводниковой проводимостью образует типичный для ди-
одных структур гетеропереход «металл–полупроводник».


                       2                2             2

                                              1
                  1
                              3

                              4

                       2                                         UЗ


             а                                    б
  Рис. 5.12. Изображение (а) и схема (б) полевого транзистора на УНТ

   При создании простейшего транзистора на УНТ (рис. 5.12)
трубка (1) помещается между двумя металлическими контактами
(2), изолированными с помощью оксидного слоя SiO2 (3) от про-
водящей подложки Si (4), которая выполняет роль затвора как в
обычном полевом транзисторе. Меняя напряжение на затворе UЗ
и, соответственно, воздействующее на УНТ поперечное электри-
ческое поле, можно варьировать в широких пределах ток, проте-
кающий через трубку. Такие транзисторы могут использоваться
как в аналоговых, так и в цифровых схемах.
   Развитие технологии изготовления УНТ позволило получить
разветвленные Y-образные и T-образные трубки (рис. 5.13). Та-
кие структуры представляют собой фактически готовые полевые

                                                                   139