Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 40 стр.

UptoLike

Раздел 1
40
являются ферромагнитными (Co), а слой (2) – немагнитным (Cu).
Толщина каждого из слоев измеряется единицами нанометров. В
основе гигантского магнетосопротивления лежит зависимость
вероятности преодоления электроном границ между слоями от
ориентации его спина относительно направления намагничен-
ности ферромагнетика. Если ориентация спина совпадает с на-
правлением магнитного поля внутри ферромагнитного слоя, то
электрон достаточно легко проходит
через границу. При проти-
воположной ориентации спина электроны с большой вероят-
ностью рассеиваются на границе раздела слоев. Следовательно,
если ферромагнитные слои (1) и (3) намагничены в одном на-
правлении (рис. 1.16а), то электроны, ориентация спина которых
совпадает с этим направлением, легко преодолевают обе гра-
ницы. Электроны с противоположным направлением спина пре-
терпевают
рассеяние на обеих границах. Если ферромагнитные
слои (1) и (3) намагничены в противоположных направлениях
(рис. 1.16б), то каждый электрон вне зависимости от ориентации
его спина рассеивается на одной из границ раздела слоев. Таким
образом, для токов, создаваемых электронами с противоположно
Рис. 1.16. Возникновение гигантского магнетосопротивления в трех-
слойной наноструктуре
r
r
R
R
а
123
e
e
б
r
R
R
r
123
e
e
Раздел 1

                  1    2   3                   1    2   3


             e–                           e–



             e–                           e–


                                                        R↓
                  r↑       r↑                  r↑




                                                        r↑
                  R↓       R↓                  R↓
                       а                            б
     Рис. 1.16. Возникновение гигантского магнетосопротивления в трех-
     слойной наноструктуре

являются ферромагнитными (Co), а слой (2) – немагнитным (Cu).
Толщина каждого из слоев измеряется единицами нанометров. В
основе гигантского магнетосопротивления лежит зависимость
вероятности преодоления электроном границ между слоями от
ориентации его спина относительно направления намагничен-
ности ферромагнетика. Если ориентация спина совпадает с на-
правлением магнитного поля внутри ферромагнитного слоя, то
электрон достаточно легко проходит через границу. При проти-
воположной ориентации спина электроны с большой вероят-
ностью рассеиваются на границе раздела слоев. Следовательно,
если ферромагнитные слои (1) и (3) намагничены в одном на-
правлении (рис. 1.16а), то электроны, ориентация спина которых
совпадает с этим направлением, легко преодолевают обе гра-
ницы. Электроны с противоположным направлением спина пре-
терпевают рассеяние на обеих границах. Если ферромагнитные
слои (1) и (3) намагничены в противоположных направлениях
(рис. 1.16б), то каждый электрон вне зависимости от ориентации
его спина рассеивается на одной из границ раздела слоев. Таким
образом, для токов, создаваемых электронами с противоположно

40