Перспективы применения наноматериалов в космической технике. Новиков Л.С - 41 стр.

                             Физические основы нанотехнологий

ориентированными спинами, электрическое сопротивление изо-
браженной трехслойной структуры различно, что иллюстриру-
ется эквивалентными схемами, приведенными в нижней части
рис. 1.16. Если r  R, то отличие суммарного сопротивления в
эквивалентных схемах для случаев (а) и (б) достаточно велико и
можно говорить о переходе ячейки из проводящего состояния в
запертое. Поэтому иногда такие структуры называют спиновым
клапаном (spin valve).
   Обычно переключение ячейки из проводящего состояние в не-
проводящее и обратно осуществляется путем изменения ориента-
ции вектора намагниченности в одном из ферромагнитных слоев
с помощью электромагнита. Эффект усиливается в многослойных
структурах, он может наблюдаться и при движении электронов
вдоль немагнитного проводника. Следует отметить, что анало-
гичный эффект проявляется также в немагнитных материалах с
встроенными наночастицами из ферромагнетика. Здесь он связан
с изменением характера рассеяния электронов проводимости на
границах наночастиц при наложении внешнего магнитного поля.
Влияние магнитного поля усиливается с уменьшением размера
частиц и увеличением их концентрации.
   Описанные ячейки могут иметь очень малые размеры, что по-
зволяет создавать на их основе запоминающие устройства боль-
шой емкости. Образцы таких запоминающих устройств – магнит-
ной оперативной памяти (MRAM, magnetoresistive random-access
memory) – уже созданы. Их достоинством является энергонеза-
висимость – способность сохранять записанную информацию в
отсутствие источника питания. Кроме того, ячейки магнитной
памяти нечувствительны к воздействию ионизирующих излу-
чений, что делает их чрезвычайно привлекательными для исполь-
зования в электронном оборудовании космических аппаратов.
Возможно, применение подобных устройств позволит решить
проблему возникновения одиночных сбоев в бортовых компью-
терах космических аппаратов, которые возникают под действием
отдельных заряженных частиц космического излучения. Подроб-
нее эта проблема будет рассмотрена в разд. 4.
                                                           41