Взаимодействие космических аппаратов с окружающей плазмой. Новиков Л.С. - 67 стр.

   При E p < E p1 (область I на рис. 20) коэффициент вторичной элек-
тронной эмиссии σ < 1 и процесс заряжения идет, как в рассмотренном
выше случае. При попадании на мишень каждой последующей порции
электронов из мишени выбивается меньше электронов, чем приходит,
т.е. на мишени накапливается отрицательный заряд и соответственно
растет отрицательный потенциал, тормозящий падающие электроны. В
результате энергия падающих электронов, с которой они достигают по-
верхности, уменьшается. Этот процесс показан на рис. 20 стрелкой, на-
правленной влево в области I. Накопление отрицательного заряда пре-
кращается, когда первичные электроны перестают попадать на поверх-
ность, т.е. отбрасываются от нее тормозящим электрическим полем.
Если облучение производится электронами с исходной энергией
E I < E p1 , равновесному состоянию соответствует отрицательный по-
                    I
тенциал − ϕ I = E           .
                        e
   Далее рассмотрим процесс облучения поверхности электронами с
энергией E p1 < E II < E p 2 (область II). В этом случае σ > 1 , т.е. из мише-
ни выбивается больше электронов, чем на нее падает. На мишени нака-
пливается положительный заряд, обусловленный недостатком электро-
нов, и соответственно возникает положительный потенциал, ускоряю-
щий попадающие на мишень первичные электроны.
   Энергия бомбардирующих поверхность электронов растет, что пока-
зано стрелкой, направленной вправо в области II рис. 20. Когда энергия
бомбардирующих поверхность электронов станет равной E p 2 , рост по-
ложительного потенциала поверхности прекратится, поскольку при
E p > E p 2 мы вновь придем к случаю σ < 1 , и мишень будет заряжаться
отрицательно, тормозя падающие электроны. Понятно, что если исход-
ная энергия бомбардирующих электронов E III > E p 2 , процесс заряжения




                                       67