Измерение температуры активных областей полупроводниковых приборов. Новоселов В.В - 19 стр.

UptoLike

Рубрика: 

16
2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
2.1 Описание измерительной схемы
В данной лабораторной работе измерение температуры полупроводни-
кового диода производится с помощью его термочувствительного параметра
прямое падение напряжения U
F
. Объектом теплофизического излучения
выбран германиевый диффузионный импульсный диод марки Д311А.
Принципиальная схема установки для измерения температуры изобра-
жена на рисунке 4.
Рисунок 4. Схема измерительной установки.
Экспериментальная установка состоит из четырех модулей:
1. модуль генератора импульсовформирует импульсы измерительного и
разогревающего токов, а также сигналы синхронизации, управляющие ра-
ботой всех компонентов установки. Модуль генератора импульсов содер-
жит генератор опорных частот, генератор запускающих импульсов, гене-
раторы и усилители импульсов измерительного и разогревающего токов,
электронные схемы задержки и измерительную схему. Этот модуль пред-
назначен для формирования импульсов измерительного и разогревающего
Генератор разо-
гревающего тока
Генератор изме-
рительного тока
Схема временного
хранения
мА
усилитель разо-
гревающего тока
усилитель измери-
тельного тока
V
п
тер
мостат
Осллограф