Составители:
Рубрика:
14
ровочных графиков зависимости термочувствительного параметра от темпе-
ратуры термостатирования.
Выполнив калибровку, переходят к операции измерения термочувстви-
тельного параметра в рабочем режиме. При этом он определяется уже темпе-
ратурой разогрева прибора за счет его собственного тепловыделения.
Величина термочувствительного параметра зависит от температуры ак-
тивной области полупроводникового прибора, но не зависит от причин воз-
никновения этой температуры. Поэтому безразлично, что стало причиной
возникновения этой или иной температуры – нагрев в термостате или собст-
венное тепловыделение.
Этот принцип положен в основу всех косвенных методов измерения
температуры в полупроводниковых приборах. Он может нарушаться для не-
которых термочувствительных параметров, влияние на величину которых
оказывает неравномерность температуры, возникающая при собственном ра-
зогреве полупроводникового кристалла.
Методика измерения температуры в диодах по величине обратного то-
ка I
R
используется редко ввиду сложности его измерения и неудовлетвори-
тельной точности её результатов. Для мощных диодов при хорошем отводе
тепла от корпуса результат измерения температуры по обратному току может
отличаться от истинной температуры p-n перехода в 1,5 – 2 раза. Это объяс-
няется тем, что этот термочувствительный параметр даёт результат измере-
ния температуры, усреднённой по тому объёму полупроводникового кри-
сталла, в котором он измеряется. На характер усреднения влияет главным
образом распределение температуры по объёму кристалла.
Прямое падение напряжения U
F
как термочувствительный параметр
получило наиболее широкое распространение для измерения температуры в
диодах вследствие своих преимуществ перед обратным током перехода. Во-
первых, параметр U
F
при постоянном токе I
F
линейно зависит от температу-
ры в большом интервале изменения для всех типов полупроводниковых при-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
