Измерение температуры активных областей полупроводниковых приборов. Новоселов В.В - 15 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

)exp(

−= (2)

где w – малозависящий от температуры размерный предэкспоненциальный

множитель,

– ширина запрещенной зоны полупроводника,

k – постоянная Больцмана,

Т – абсолютная температура,

– коэффициент зависящий от температуры

Таким образом I

зависит от температуры Т экспоненциально.

Зависимость прямого падения напряжения на p-n переходе от темпера-

туры и обратного тока p-n перехода можно получить из выражения для

вольт-амперной характеристики p-n перехода:

()

31ln













Здесь

I - прямой ток через p-n переход, q – заряд электрона.

На рисунке 2 показан типичный пример зависимости прямого падения

Рисунок 2. Зависимость прямого напряжения от

I и Т для мощного

германиевого сплавного диода