Составители:
Рубрика:
10
1.4 Метод измерения температуры с помощью термочувствитель-
ных параметров.
Этот метод в настоящее время является наиболее точным и перспек-
тивным применительно к полупроводниковым приборам и интегральным
схемам.
1.4.1 Основные тепловые параметры полупроводниковых приборов.
Тепловые параметры полупроводниковых приборов позволяют опреде-
лить допустимые пределы или диапазоны температуры окружающей среды и
самих приборов, при которых гарантируется их надёжная работа. Ряд этих
параметров связывает величину рассеиваемой в приборе электрической
мощности с температурой его элементов.
Важнейшим параметром для всех приборов является предельная тем-
пература p-n перехода (или p-n переходов). Выбор p-n перехода в качестве
области с контролируемой температурой обусловлен тем, что нагрев её, как
правило, получается максимальным.
В условиях, когда в приборе теплота не выделяется, все его элементы
имеют одинаковую температуру. Но если рассеиваемая прибором мощность
не равна нулю, температура внутри полупроводникового кристалла и, в част-
ности, в области p-n перехода выше окружающей. Для того чтобы произво-
дить оценку допустимости того или иного режима работы полупроводнико-
вого прибора, в технической документации указывается величина его тепло-
вого сопротивления. Тепловое сопротивление, характеризующее постоянную
температуру полупроводникового прибора, определяется формулой:
P
tt
R
T
0
−
=
(1) , где
t – температура области p-n перехода,
t
о
– эксплуатационная температура корпуса или окружающей корпус
среды,
P – мощность тепловыделения в приборе.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
