Составители:
Рубрика:
11
Для того чтобы найти температуру p-n перехода нужно знать эту теп-
ловую характеристику:
T
PRtt
+
=
0
. Поэтому предельно допустимая темпе-
ратура p-n перехода
T
RPtt
пред0пред
+
=
соответствует предельно допустимой
мощности тепловыделения
пред
P
, которая, в свою очередь зависит от экс-
плуатационной температуры:
T
R
tt
P
0пред
пред
−
=
Таким образом, именно тепловое сопротивление полупроводникового
прибора, зависимое от его конструкции и условий охлаждения, определяет
надежность, эксплуатационную температуру и предельные возможности.
Найти тепловое сопротивление из (1) можно определяя t для неё экспе-
риментально или путем расчета – теоретически.
1.4.2 Термочувствительные параметры диодов.
Термочувствительными параметрами для измерения температуры в
диодах, являются обратный ток p-n перехода -
R
I и прямое падение напряже-
ния на p-n переходе -
F
U .
Обратный ток диода состоит из нескольких компонентов: тока утечки,
характеризующегося поверхностными энергетическими состояниями; тока,
определяемого генерацией и рекомбинацией носителей в области простран-
ственного заряда p-n перехода; и, наконец, тока насыщения или, как его ина-
че называют, теплового тока, который образуется в результате генерации
носителей заряда в объёмах p- и n-областей на расстояниях от перехода, не
превышающих диффузионной длины носителей.
Анализируя отдельные составляющие обратного тока p-n перехода с
точки зрения полупроводниковой электроники можно прийти к выводу о
том, что все они, кроме теплового тока, или малы или слабо зависят от тем-
пературы. Поэтому при тех температурах, при которых диоды эксплуатиру-
ются, обратный ток представлен в основном тепловым током, который почти
не зависит от напряжения, и равен, как и он
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
