Составители:
Рубрика:
13
напряжения на p-n переходе U
F
от прямого тока
F
I и его абсолютной темпе-
ратуры Т, полученной экспериментально.
С помощью таких зависимостей может быть определен так называемый
температурный коэффициент напряжения (ТКН), который определяется про-
изводной:
dT
dU
ТКН
F
=
и как это видно из (3) логарифмически зависит от прямого тока через p-n пе-
реход (
F
I ), а также технологии изготовления конкретных диодов и транзи-
сторов.
Величина ТКН различных типов диодов и транзисторов в ее зависимо-
сти от
F
I изменяется в пределах – 1 до 3,5 мВ·К
-1
.
1.4.3 Методика измерения температуры в диодах и выбор термо-
чувствительного параметра.
В общем случае процесс измерения температуры полупроводниковых
приборов с использованием термочувствительных параметров состоит из
двух последовательных операций: калибровки термочувствительного пара-
метра и измерении термочувствительного параметра в его зависимости от
мощности тепловыделения в приборе.
Обе эти операции производятся в импульсном режиме, когда измери-
тельный ток подается на прибор в режиме коротких и редких импульсов (с
большой скважностью). Последнее необходимо, чтобы измерительный ток не
вызывал собой заметного изменения температуры прибора.
Калибровка термочувствительного параметра производится в термо-
стате, куда помещается полупроводниковый прибор. Температура всех его
элементов одинакова и считается равной температуре термостата. Зависи-
мость термочувствительного параметра от температуры термостата опреде-
ляется при протекании через полупроводниковый прибор только импульсно-
го измерительного тока. Результаты измерений оформляются в виде калиб-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
