Детекторный СВЧ диод - 4 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

барьерная С

БАР

емкость которых не превышает десятых долей пикофарады, а по-

следовательное сопротивление потерь

– единиц ома.

2 ПЕРЕХОДЫ МЕТАЛЛ

− ПОЛУПРОВОДНИК

Основными элементами структуры полупроводниковых приборов являются

переходы, которые могут быть выпрямляющими и омическими.

Выпрямляющие переходы образуются в месте контакта металла с полупро-

водником (их называют барьером Шоттки) или на границе раздела двух полупро-

водников различного типа электропроводности (их называют p-n-переходы). Для

них подбирают материалы с различным значением работы выхода (

потенциалом)

электронов, вследствие чего на границе раздела возникает контактная разность

потенциалов, или потенциальный барьер, способствующий протеканию тока в

одном направлении и препятствующий – в другом. Благодаря этому переход об-

ладает односторонней проводимостью.

Предположим, что контакт осуществляется между металлом и n-

полупроводником, работа выхода которого меньше работы выхода электронов из

металла

()

eе

. Энергетические диаграммы до контакта и в состоянии рав-

новесия при контакте показаны на рисунке 1.