Детекторный СВЧ диод - 5 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Поскольку

eе

, электроны при контакте из зоны проводимости n-

полупроводника переходят в зону проводимости металла, заряжая его отрица-

тельно. В приконтактной области n-полупроводника образуется слой, обеднённый

основными носителями и несущий не скомпенсированный положительный заряд

ионов-доноров. Образуется приконтактное поле

, которое препятствует даль-

нейшему движению электронов в металл. Это поле отталкивает свободные элек-

троны в области контакта и втягивает в приконтактную область дырки. При рав-

новесии уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. Образовав-

шийся запирающий слой шириной 1 лежит в основном в толще полупроводника,

так как его сопротивление значительно выше.

При

подключении внешнего источника питания в прямом направлении

(плюс на металле) потенциальный барьер снижается, сопротивление запирающего

слоя уменьшается и через переход течёт ток, обязанный перемещению электронов

в металл. При подключении обратного напряжения потенциальный барьер повы-

шается, но под действием увеличивающегося поля на переходе возможно движе-

ние дырок в металл. Этот ток

мал, так как концентрация неосновных носителей в

n-полупроводнике невелика.

В результате разности сопротивлений перехода при подключении прямого и

обратного напряжений такой переход, как видим, обладает выпрямляющими

свойствами.

Внешние металлические выводы прибора должны иметь с полупроводни-

ком невыпрямляющий омический переход (контакт), для чего между металлом и

полупроводником создаётся тонкий высоколегированный слой

полупроводника

того же типа проводимости, обычно с малой контактной разностью потенциалов в

сторону, как металлического вывода, так и полупроводника (структура M-n+-n

или M-p+-p, где символ + означает высокую степень легирования).