Детекторный СВЧ диод - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

7
с концентрацией примесей порядка
316
10
−
см
(n-область) (рисунок 3). На по-
верхность этого слоя методом
вакуумного испарения осаждается
слой металла. Площадь перехода
обычно очень мала (10 – 20мкм в
диаметре) для диодов санти-
метрового диапазона и
уменьшается до нескольких
микрометров для диодов мил-
лиметрового диапазона и барьерная
ёмкость не превышает 1пФ.
Благодаря малой толщине эпитаксиального n-слоя, образующего переход с
металлом, сопротивление потерь перехода r
пер
меньше, а крутизна ВАХ в соот-
ветствии с рисунком 6 и электрическая прочность выше, чем у точечного перехо-
да. Однако контактная разность потенциалов некоторых типов ДБШ большая, до
0,9В. Высокая повторяемость параметров ДБШ и их стабильность в процессе
эксплуатации обеспечивается современной эпитаксиальной технологией.
Особенности физических процессов в ДБШ заключаются в отсутствии
ин-
жекции неосновных носителей в базу (кремний). Запирающий слой, как это было
показано ранее, образуется в результате объединения приконтактного слоя полу-
проводника основными носителями зарядов (в данном случае электронами). По-
этому при подключении прямого напряжения U (плюс на металле) прямой ток
возникает в результате движения основных носителей зарядов (электронов) из
полупроводника
в металл через пониженный
(
)
U
К
−
ϕ
потенциальный барьер пе-
рехода. Таким образом, в базе диода
(
)
Sin -
не происходит накапливания и расса-
сывания неосновных носителей. Основным фактором, влияющим на длительность
переходных процессов, является процесс перезаряда барьерной емкости С
БАР
.
Значение С
БАР
, как было указано выше, весьма мало (не более 1пкФ), очень малы
М
База n-Si
Запирающий
слой
М
Рисунок 3
– Переход Шоттки
n+ -Si

Страницы