Детекторный СВЧ диод - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

8
М
Рисунок 4– Обращённый диод
n+-Ge
P
+
Pв-Sв
p-n-переход
также и омические сопротивления электродов: металла и Sin -
+
. Вследствие этого
время перезаряда емкости С
БАР
, а, следовательно, и длительность переходных
процессов также очень малы и составляют десятые доли наносекунды. Эти свой-
ства позволяют использовать ДБШ в наносекундных переключающих схемах, а
также на рабочих частотах вплоть до 300ГГц.
ВАХ ДБШ почти идеально описывается экспоненциальной зависимостью
для идеализированного диода. Это обстоятельство позволяет с успехом использо-
вать ДБШ
в качестве логарифмирующих элементов.
4 ДИОДЫ С p-n-ПЕРЕХОДОМ
Одной из разновидностей диодов с p-n-переходом является обращённый ди-
од.
4.1 Обращённый диод.
Если для прижимного контакта М–n
+
использовать металл с акцепторной
присадкой и подвергнуть его электроформовке – пропустить через него электри-
ческие импульсы тока определён-
ной энергии, то вследствие сильно-
го нагрева приконтактной области
под остриём иглы образуется тон-
кий слой р
+
-полупроводника, т.е.
получается микросплавной точеч-
ный переход обращённого диода
(ОД) структуры р
+
-n
+
со стабиль-
ными параметрами (рисунок 4).
Обращённым называю диод на основе полупроводника с критической кон-
центрацией примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вслед-
ствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.

Страницы