ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
– излучательной рекомбинации;
– вывода излучения из области генерации.
Рассмотрим эти процессы подробнее.
Инжекция. Использование двойной гетероструктуры в СИД обеспечивает
локализацию инжектированных зарядов в базе при уменьшении её толщины
вплоть до нескольких микрометров и приводит к повышению быстродействия по
сравнению с приборами с односторонней гетероструктурой.
Излучательная рекомбинация. В простейшем случае электроны зоны
проводимости рекомбинируют с дырками, находящимися в валентной зоне. При
этом энергия, примерно соответствующая ширине запрещённой зоны, выделяется
в виде электромагнитного излучения из полупроводника. Рекомбинация
носителей может происходить как в прилегающих к p-n-переходу областях, так и
в самом p-n-переходе.
Вывод излучения. Конструкция СИД выбирается с таким расчётом, чтобы
уменьшить собственное перепоглощение излучения, обеспечить режим работы
при высокой плотности тока и увеличить эффективность ввода излучения в
волокно. В ВОЛС применяются в основном две конфигурации диодов: с
торцевым (рисунок 4,а,б) и боковым (рисунок 5,в) излучением.
Рисунок 4 –Схема поперечного сечения СИД с торцевым (а, б) и боковым
(в) излучением
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
