ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
4) Кроме того, кристалл полупроводника должен быть по возможности
бездефектным, как и границы между разными слоями, поскольку дефекты на них
(например, дислокации) тоже порождают безызлучательную рекомбинацию.
Поэтому особого внимания требует подбор пар материалов с точки зрения
согласования параметров их элементарных ячеек, так как на границе
несогласованных решёток возникает много дислокаций. Работы
группы Алфёрова
показали, что в гетероструктурах группы
VIII
В
А
могут быть созданы практически
идеальные границы.
Насколько успешно удалось решить все эти задачи, можно судить по
значениям ряда параметров. О вероятности излучательной рекомбинации в
узкозонном слое говорит внутренний квантовый выход излучения
i
η
(отношение
числа излучаемых фотонов к числу электронно-дырочных пар).
В гетероструктурах величина
i
η
может быть близка к единице. Для практики,
однако, важнее внешний квантовый выход излучения
e
η
(отношение числа
излучаемых во внешнюю среду квантов света к числу электронно-дырочных пар,
пересекающих p-n-переход). Он характеризует преобразование электрической
энергии в световую и, помимо внутреннего квантового выхода (
i
η
), учитывает
коэффициент инжекции пар в активную область (γ) и коэффициент вывода света
во внешнюю среду (
0
η
):
0
η
γη
η
ie
=
. (2)
Коэффициент полезного действия светоизлучающего прибора
ограничивается ещё и потерями на джоулево тепло, поэтому сопротивление всех
областей структуры и омических контактов на выводах должно быть малым.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
