Электронные компоненты систем оптической связи. Полупроводниковые лазеры и светоизлучающие диоды. Передающие оптоэлектронные модули - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

9
1) Односторонняя инжекция. Скачки потенциалов на границах
представляют собой потенциальные барьеры для неосновных носителей, что
приводит к локализации зарядов.
2) Резкое различие оптических свойств различных областей кристалла. Оно
проявляется, прежде всего, в том, что длина волны излучения, генерируемого в
узкозонной базе, лежит ниже «красной границы» поглощения эмиттерной
области. В связи с этим
говорят об эмиттере как о широкозонном «окне», через
которое излучение выводится из светодиода практически без поглощения.
Типичными и наиболее хорошо разработанными являются гетероструктуры
в тройном соединении вида
AsAGa
x
x
l
−1
, где x – доля компонента (молярная
масса)
10 ≤≤ x
. Это соединение получается путём замещения в кристалле GaAs
части атомов галлия алюминием. По мере увеличения доли x замещённых атомов
ширина запрещённой зоны изменяется от
ýÂE
Ç
4,1
≈
(для чистого GaAs) до
ÂE
Ç
ý1,2≈
(для чистого AlAs).
1.3 Условия максимальной эффективности излучения
Чтобы достичь максимальной эффективности излучения света, необходимо
выполнить следующие условия:
1) При оптических переходах электронов из зоны проводимости
полупроводника в валентную должен соблюдаться закон сохранения энергии.
Поэтому ширина запрещённой зоны
2З
Е
в активной области структуры должна
быть близка к нужной энергии квантов излучения.
2) Одновременно должен соблюдаться закон сохранения импульса.
Точнее – квазиимпульса, так как электрон (и дырка) в кристалле уже не свободная
частица – он движется в поле периодически упорядоченных ионных остовов,
представляя собой фактически возбуждённое состояние твёрдого тела. Движение
этих возбуждений (электронных
и дырочных) очень напоминает свободное

Страницы