ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
валентной зоны в слое, где минимальны их энергии.
Широкозонные внешние части гетероперехода можно сильно легировать с
обеих сторон, добиваясь больших концентраций в них равновесных носителей.
И тогда, даже не легируя активную узкозонную область примесями, удаётся
достичь при инжекции значительных концентраций неравновесных электронно-
дырочных пар в слое. Отказ от легирования активной области
принципиально
важен, поскольку атомы примеси, как уже говорилось, могут служить центрами
безызлучательной рекомбинации. Попав в потенциальную яму, инжектированные
Рисунок 2 – Упрощённая зонная диаграмма уровней энергии электронов
гетероструктуры при прямом смещении
электроны наталкиваются на потенциальный барьер
П
Е
∆
, а дырки – на
потенциальный барьер
В
Е∆
. Поэтому и те, и другие перестают диффундировать
дальше и рекомбинируют в тонком активном слое, если он содержит малое
количество дефектов, с испусканием фотона с энергией
2З
Е
.
Гетероструктуры по сравнению с обычными p-n-переходами обладают
двумя важными отличительными особенностями:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
