ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6
преобразуется в энергию излучаемых фотонов. Этот ток принято называть током
накачки (
Н
I
).
Обычно для оптимизации процесса генерации в источниках, реализованных
на практике, при изготовлении переходов добиваются, чтобы концентрация
основных носителей в одном из полупроводников была бы существенно выше,
чем в другом. Типичные значения величин следующие:
)/1(10
324
мN
n
=
;
)/1(10
322
мP
p
=
.
То есть, разница в величинах
n
N
и
p
P
велика. Поэтому можно считать, что
ток накачки в основном обусловлен инжекцией электронов в полупроводнике
p-типа.
Вероятность излучательной рекомбинации пропорциональна концентрации
электронно-дырочных пар, поэтому наряду с повышением концентраций
основных носителей в p- и n-областях желательно уменьшать толщину активной
области, в которой идёт рекомбинация. Но в обычных p-n-переходах эта толщина
не может
быть меньше диффузионной длины – среднего расстояния, на которое
диффундируют инжектированные носители заряда, пока не рекомбинируют.
Задача ограничения активной области рекомбинации решена в конце 60-х
годов Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками. Были предложены и практически
изготовлены гетероструктуры, сначала на основе GaAs и его твёрдых растворов
типа GaAlAs, а затем и на основе
других полупроводниковых соединений.
В гетероструктурах толщина активной области рекомбинации может быть много
меньше диффузионной длины.
1.2 Гетероструктуры
Мы обсудили p-n-переходы, названные гомопереходами. Такие переходы
получаются из полупроводников с одинаковой шириной запрещённой зоны.
Однако существуют совершенно различные полупроводниковые материалы,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
