Электронные компоненты систем оптической связи. Полупроводниковые лазеры и светоизлучающие диоды. Передающие оптоэлектронные модули - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

4
Советские учёные внесли в развитие данной области существенный вклад.
Ж.И. Алфёров (академик, директор физико-технического института
им. А.Ф. Иоффе, лауреат Ленинской премии) получил золотую медаль
Американского физического общества за исследования гетероструктур на основе
AsAlGa
XX−1
ещё в 70-х годах. В 2000 г., когда стало ясно, как велико значение
этих работ для развития науки и техники, насколько важны их практические
применения для человечества, ему была присуждена Нобелевская премия,
которую он разделил с Н.Б. Крамером (США), также работавшим в этой области.
1.1 Процесс возникновения излучения в p-n-переходе
Если в образце создан p-n-переход, т.е. граница между областями с
дырочной (p-) и электронной (n-) проводимостью, то при положительной
полярности внешнего источника тока на контакте к p-области (и отрицательной –
на контакте к n-области) потенциальный барьер в p-n-переходе понижается и
электроны из n-области инжектируют в p-область.
В отсутствие смещения (U=0) уровень Ферми одинаков
во всём переходе
ФNФР
ЕЕ =
и барьеры для основных носителей выше, чем при прямом смещении
p-n-перехода, когда уровни раздвигаются на величину
ФPФN
EEeU −
=
.
Инжектированные электроны и дырки рекомбинируют, передавая свою
энергию либо квантам света
ν
h
(излучательная рекомбинация), либо, через
дефекты и примеси, – тепловым колебаниям решётки (безызлучательная
рекомбинация) (рисунок 1).
Высвобождающаяся при рекомбинации энергия Е обеспечивает рождение
фотона. Длина волны, соответствующая этому фотону, определяется
соотношением
Е
Е
ch
ИЗЛ
24,1
==
λ
, (1)
где c – скорость света;

Страницы