ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
h – постоянная Планка.
В этой формуле длина волны выражена в микрометрах, а энергия в
электрон-вольтах. Поэтому для обеспечения генерации излучения в требуемом
спектральном диапазоне длин волн необходимо подбирать материалы с
соответствующей шириной запрещённой зоны
З
Е
.
Для обеспечения генерации в области первого окна прозрачности
Рисунок 1 – Энергетическая диаграмма обычного (гомогенного)
p-n-перехода в полупроводнике при прямом смещении U
волоконного световода (λ=0,8 – 0,9мкм) используют соединения на основе
арсенида галлия (GaAs), а для следующих окон прозрачности (λ=1,3мкм и
λ=1,5 мкм) – соединения на основе фосфида индия (InP).
Очевидно, что интенсивность излучения напрямую связана с величинами
концентраций носителей в p-n-переходе и
увеличивается при их одновременном
росте. Это достигается за счёт увеличения тока, протекающего через переход.
Таким образом, энергия внешнего источника, обеспечивающего протекание тока,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
