ВУЗ:
Рубрика:
m
eB
f
π
2
=
(5).
Эти ионы, называемые резонансными, отдают свой заряд коллектору,
которого не могут достичь ионы другой массы. При изменении частоты
приложенного электрического поля на коллектор ионов попадают частицы с
различным отношением
e
m
. Для однозарядных ионов
кГц
M
H
f 52,1=
, где
где индукция магнитного поля –
Н – Гаусс, М – относительная единица
массы. Каждой собранной группе частиц с одной и той же массой
соответствует пик ионного тока, амплитуда которого пропорциональна
количеству собранных ионов и ширина которого является функцией
приложенных электрического и магнитного полей. Ширина основания пика
по частоте равна
Гц
Br
E
f
0
2
2
π
=∆
, где где - расстояние от коллектора ионов
до оси электронного пучка в см
,
0
r
E
– амплитуда напряжённости поля высокой
частоты в ед.
СГСМ/1вольт = 10
8
ед. СГСМ.
Разрешающая способность прибора
f
f
Em
reB
m
m
∆
==
∆
=
2
0
2
ρ
.Для
лабораторного прибора
смr 85.0
0
=
,
ГсИ 3000
=
, расстояние между
высокочастотными пластинами
смl 2
=
,
кГц
m
f ==
4560
;
;
кГцUf
e
25.6=∆
mU
e
740
=
ρ
, – амплитуда высокочастотного напряжения в
вольтах,
e
U
l
U
E
e
=
.
Назначение и возможности масс-спектрометра в значительной степени
определяются типом ионных источников, которыми он укомплектован.
Источники разделяются на два основных класса: газовые источники и
источники для анализа твёрдых веществ. В ионных источниках первого типа
вещество в области ионизации находится в газообразном состоянии. Для
ионизации газа чаще всего используют быстрые электроны. Устройство
такого ионного источника показано на рис.№7.
eB f = (5). 2πm Эти ионы, называемые резонансными, отдают свой заряд коллектору, которого не могут достичь ионы другой массы. При изменении частоты приложенного электрического поля на коллектор ионов попадают частицы с m H различным отношением . Для однозарядных ионов f = 1,52 кГц , где e M где индукция магнитного поля – Н – Гаусс, М – относительная единица массы. Каждой собранной группе частиц с одной и той же массой соответствует пик ионного тока, амплитуда которого пропорциональна количеству собранных ионов и ширина которого является функцией приложенных электрического и магнитного полей. Ширина основания пика 2E по частоте равна ∆f = Гц , где где r0 - расстояние от коллектора ионов 2πr0 B до оси электронного пучка в см, E – амплитуда напряжённости поля высокой частоты в ед. СГСМ/1вольт = 108 ед. СГСМ. m eB 2 r0 f Разрешающая способность прибора ρ= = = .Для ∆m 2 Em ∆f лабораторного прибора r0 = 0.85см , И = 3000 Гс , расстояние между 4560 высокочастотными пластинами l = 2см , f = = кГц ; m 740 ∆f = 6.25U e кГц ; ρ = , U e – амплитуда высокочастотного напряжения в U em Ue вольтах, E = . l Назначение и возможности масс-спектрометра в значительной степени определяются типом ионных источников, которыми он укомплектован. Источники разделяются на два основных класса: газовые источники и источники для анализа твёрдых веществ. В ионных источниках первого типа вещество в области ионизации находится в газообразном состоянии. Для ионизации газа чаще всего используют быстрые электроны. Устройство такого ионного источника показано на рис.№7.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »