Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 165 стр.

UptoLike

164
ясь в направлении анода, может при столкновении с молекулой (или ато-
мом) вызвать ионизацию, и таким образом появляется ион и второй элек-
трон. При определенных условиях процесс будет нарастать лавинообразно.
При неизменной температуре пробивное напряжение газа в однород-
ном поле является функцией произведения давления P и расстояния S ме-
жду электродами (рис. 10.31).
При
атмосферных давлениях,
заданных условиями эксплуатации
наземной и самолетной (вертолет-
ной) аппаратуры, пробивное на-
пряжение соответствует правой
части ветви. Аппроксимируя пра-
вую ветвь этой зависимости, можно
получить простое выражение для
пробивного напряжения:
U
пр
= а
0
· PS + b · PS формула
закона Пашена. Вводя в нее отно-
сительное давление Р/Р
0
,
где Р
0
= 101,3 кПадавление при нормальных условиях (при Т = 293 К),
имеем U
пр
= а
0
· Р/(P
0
·S) + b
0
· )/(
0
SPP . Числовые значения а
0
и
b
0
приведены в табл. 10.2.
Таблица 10.2. Числовые значения а
0
и b
0
для различных газов
Значения а
0
, b
0
газов
Постоянная
воздух О
2
N
2
Ar He
а
0
, кВ/см 24,5 26,0 23,5 5,7 2,01
b
0
, кВ/см 6,40 6,35 9,55 2,26 2,53
Приведенная формула позволяет рассчитать зазоры S и оценить элек-
трическую прочность промежутка для различных давлений при эксплуата-
ции.
Можно видеть, что при пониженных атмосферных давлениях самолет-
ной, носимой, автомобильной аппаратуры необходимо рассчитывать элек-
трическую прочность минимальных зазоров между элементами печатного
монтажа или же между элементами находящимися под высокими напря-
жениями.
Герметичные
конструкции ЭС для надежности герметизации иногда
заполняют инертным газом с избыточным давлением. Учитывая, что элек-
Рис. 10.31. Зависимость пробивно-
го напряжения от величины PS
Пасл
PS
КВ
U
пр