Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 173 стр.

UptoLike

172
При воздействии достаточно мощных и коротких по длительности
ЭМИ иногда наблюдается эффект электродинамического отрыва выводов
транзисторов от траверсов в месте их соединения.
3. Методы защиты ЭС от ионизирующих и ЭМИ излучений
Методы предотвращения нарушений работоспособности схем из-за
воздействия ионизирующих излучений сводятся к следующим:
От временных эффектов:
-к компенсации протекающих токов;
-к защите от протекания избыточных токов;
-к защите от перенапряжений;
- к мерам по ускорению восстановления схемы в исходное состояние;
- к сохранению основных данных в стойкой памяти;
- к предотвращению потери информации;
-к предотвращению запирания дискретных схем.
От постоянных эффектов:
- к выбору высокочастотных приборов;
-к ограничению на применение МОП-транзисторов в среде с высоким
уровнем дозы;
-к разработке схем, допускающих большие уходы параметров элемен-
тов;
-к минимизации чувствительности схем;
-к изменению параметров ЭРЭ.
Например, применение оптоэлектронных устройств для построения
линии радиосвязи.
4. Методы защиты ЭС от ЭМИ сводятся к конструкционным,
структурно-функциональным и схемотехническим
Конструкционные методы состоят в улучшении экранирования кабелей
и аппаратуры, естественно при этом, что наиболее уязвимыми при воздей-
ствии ЭМИ оказываются элементы ЭС, непосредственно подсоединяемые
к кабелям и проводам. Наводки в неэкранированных внешних кабелях мо-
гут быть очень большими при большой крутизне фронта.
Экранирование является наиболее радикальным и можно сказать, един-
ственным
эффективным способом защиты проводных линий связи.
При экранировании необходимо соблюдать все основные требования,
определяющие эффективность экрана (заземление экрана оболочки, в на-
чале и конце линий). Помимо экранирования для уменьшения амплитуды
напряжения наводки следует выполнять эти связи с помощью симметрич-
ных линий.