ВУЗ:
Составители:
172
При воздействии достаточно мощных и коротких по длительности
ЭМИ иногда наблюдается эффект электродинамического отрыва выводов
транзисторов от траверсов в месте их соединения.
3. Методы защиты ЭС от ионизирующих и ЭМИ излучений
Методы предотвращения нарушений работоспособности схем из-за
воздействия ионизирующих излучений сводятся к следующим:
От временных эффектов:
-к компенсации протекающих токов;
-к защите от протекания избыточных токов;
-к защите от перенапряжений;
- к мерам по ускорению восстановления схемы в исходное состояние;
- к сохранению основных данных в стойкой памяти;
- к предотвращению потери информации;
-к предотвращению запирания дискретных схем.
От постоянных эффектов:
- к выбору высокочастотных приборов;
-к ограничению на применение МОП-транзисторов в среде с высоким
уровнем дозы;
-к разработке схем, допускающих большие уходы параметров элемен-
тов;
-к минимизации чувствительности схем;
-к изменению параметров ЭРЭ.
Например, применение оптоэлектронных устройств для построения
линии радиосвязи.
4. Методы защиты ЭС от ЭМИ сводятся к конструкционным,
структурно-функциональным и схемотехническим
Конструкционные методы состоят в улучшении экранирования кабелей
и аппаратуры, естественно при этом, что наиболее уязвимыми при воздей-
ствии ЭМИ оказываются элементы ЭС, непосредственно подсоединяемые
к кабелям и проводам. Наводки в неэкранированных внешних кабелях мо-
гут быть очень большими при большой крутизне фронта.
Экранирование является наиболее радикальным и можно сказать, един-
ственным
эффективным способом защиты проводных линий связи.
При экранировании необходимо соблюдать все основные требования,
определяющие эффективность экрана (заземление экрана оболочки, в на-
чале и конце линий). Помимо экранирования для уменьшения амплитуды
напряжения наводки следует выполнять эти связи с помощью симметрич-
ных линий.
При воздействии достаточно мощных и коротких по длительности ЭМИ иногда наблюдается эффект электродинамического отрыва выводов транзисторов от траверсов в месте их соединения. 3. Методы защиты ЭС от ионизирующих и ЭМИ излучений Методы предотвращения нарушений работоспособности схем из-за воздействия ионизирующих излучений сводятся к следующим: От временных эффектов: -к компенсации протекающих токов; -к защите от протекания избыточных токов; -к защите от перенапряжений; - к мерам по ускорению восстановления схемы в исходное состояние; - к сохранению основных данных в стойкой памяти; - к предотвращению потери информации; -к предотвращению запирания дискретных схем. От постоянных эффектов: - к выбору высокочастотных приборов; -к ограничению на применение МОП-транзисторов в среде с высоким уровнем дозы; -к разработке схем, допускающих большие уходы параметров элемен- тов; -к минимизации чувствительности схем; -к изменению параметров ЭРЭ. Например, применение оптоэлектронных устройств для построения линии радиосвязи. 4. Методы защиты ЭС от ЭМИ сводятся к конструкционным, структурно-функциональным и схемотехническим Конструкционные методы состоят в улучшении экранирования кабелей и аппаратуры, естественно при этом, что наиболее уязвимыми при воздей- ствии ЭМИ оказываются элементы ЭС, непосредственно подсоединяемые к кабелям и проводам. Наводки в неэкранированных внешних кабелях мо- гут быть очень большими при большой крутизне фронта. Экранирование является наиболее радикальным и можно сказать, един- ственным эффективным способом защиты проводных линий связи. При экранировании необходимо соблюдать все основные требования, определяющие эффективность экрана (заземление экрана оболочки, в на- чале и конце линий). Помимо экранирования для уменьшения амплитуды напряжения наводки следует выполнять эти связи с помощью симметрич- ных линий. 172
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 171
- 172
- 173
- 174
- 175
- …
- следующая ›
- последняя »