Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 78 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

77
По тепловой характеристике для реального заданного значения мощно-
сти рассчитываются реальные температуры перегрева прибора.
7.3 Методы интенсификации охлаждения. Элементы локального ох-
лаждения
Для интенсификации локального охлаждения элементов конструкции
улучшают условия охлаждения за счёт теплопроводности, конвекции и из-
лучения.
Под мощные транзисторы или микросхемы предлагают теплопровод
(рис. 7.3). Теплопроводы выполняют из металла высокой теплопроводно-
сти, например, алюминий, но лучше из меди, однако следует учитывать,
что медь дороже и тяжелее алюминия.
Чтобы улучшить условия охлаждения
теплопроводом, увеличивают
площадь его сечения S, а также площади поверхности его охлаждения S.
Увеличить площадь теплопровода у транзистора можно его ребрением
(ребристый радиатор). Дополнительно увеличить площадь радиатора мож-
но, предлагая вместо рёбер игольчатую форму (игольчатый радиатор).
Под микросхемы с планарными выводами (тип корпуса 4) и под микро-
схемы со штырьковыми выводами (тип корпуса
2) предлагают шины теп-
лоотводящие, показанные на рисунках 7.3 и 7.4.
Рис. 7.3. Использование радиаторов и теплоотводящих шин
Толщина шин может быть
0,5…0,7 мм, что определяет-
ся максимально допустимым
зазором между микросхемой
и платой. Под шину на плату
печатную должна устанавли-
ваться диэлектрическая про-
кладка из стеклоткани прокладочной СП1 толщиной 0,1 мм. Прокладка
на
плату приклеивается клеем ВК-9. Микросхемы также приклеиваются к
шине теплоотводящей, что улучшает теплопроводность и повышает проч-
Рис. 7.4. Использование теплоотводящей
шины 
   По тепловой характеристике для реального заданного значения мощно-
сти рассчитываются реальные температуры перегрева прибора.

7.3 Методы интенсификации охлаждения. Элементы локального ох-
лаждения

    Для интенсификации локального охлаждения элементов конструкции
улучшают условия охлаждения за счёт теплопроводности, конвекции и из-
лучения.
    Под мощные транзисторы или микросхемы предлагают теплопровод
(рис. 7.3). Теплопроводы выполняют из металла высокой теплопроводно-
сти, например, алюминий, но лучше из меди, однако следует учитывать,
что медь дороже и тяжелее алюминия.
    Чтобы улучшить условия охлаждения теплопроводом, увеличивают
площадь его сечения S, а также площади поверхности его охлаждения S.
    Увеличить площадь теплопровода у транзистора можно его ребрением
(ребристый радиатор). Дополнительно увеличить площадь радиатора мож-
но, предлагая вместо рёбер игольчатую форму (игольчатый радиатор).
    Под микросхемы с планарными выводами (тип корпуса 4) и под микро-
схемы со штырьковыми выводами (тип корпуса 2) предлагают шины теп-
лоотводящие, показанные на рисунках 7.3 и 7.4.




        Рис. 7.3. Использование радиаторов и теплоотводящих шин

                                             Толщина шин может быть
                                         0,5…0,7 мм, что определяет-
                                         ся максимально допустимым
                                         зазором между микросхемой
 Рис. 7.4. Использование теплоотводящей
                                         и платой. Под шину на плату
                  шины
                                         печатную должна устанавли-
                                         ваться диэлектрическая про-
кладка из стеклоткани прокладочной СП1 толщиной 0,1 мм. Прокладка на
плату приклеивается клеем ВК-9. Микросхемы также приклеиваются к
шине теплоотводящей, что улучшает теплопроводность и повышает проч-



                                                                   77

Страницы