Основы проектирования электронных средств. Панков Л.Н - 79 стр.

UptoLike

78
ность конструкции. Эквивалентная схема теплоотвода от корпуса ИС в
этом случае имеет вид (рис. 7.5):
где R
к
тепловое сопротивление клея,
рассчитываемое по формуле:
R
K
K
K
K
S
=
λ
δ
,
где δ
к
, λ
к
, S
к
параметры слоя клеевого
соединения, как участка теплопровода.
R
т
тепловое сопротивление тепло-
отводящей шины, рассчитываемое по
формуле:
R
Т
Т
Т
Т
S
=
λ
δ
.
где δ
т
, λ
т
, S
т
параметры теплоотводя-
щей шины.
Так как теплопроводность клея λ
К
очень низкая, то тепловое сопротивле-
ние клееного соединения микросхемы получается соизмеримым с тепло-
вым соединением шины. Отсюда следует:
1.
Необходимо исполнить клееные соединения малой толщиной клея
δ
К
(не более 0,1 мм).
2.
Увеличивают теплопроводность клея, применяя пасты с повышен-
ной теплопроводностью либо добавляя компоненты высокой теплопровод-
ности.
3.
Тепловое сопротивление теплопровода нет смысла приближать к
нулю, увеличивая сечение S, а поэтому толщину теплопроводящих шин
ограничивают значением 0,5-0,6 мм. Для микросборок или корпусирован-
ных ИС в корпусе толщина теплопровода может быть увеличена до 1,8 мм.
Теплопроводящее основание представляет собой конструкцию тепло-
провода по всей плоскости печатной платы, в котором выполняются окна
под выводы
микросхем.
Улучшить условия охлаждения теплопроводом можно, уменьшая дли-
ну теплопровода от транзистора или микросхемы на корпус прибора, для
этого предлагают транзистор с радиатором установить не на печатную
плату, а на несущие металлические конструкции прибора. Лучше когда ра-
диатор с транзисторами используется в качестве несущей конструкции
устройства.
Значительно увеличить теплопроводность можно
с помощью тепловых
трубстержней, тепловое сопротивление которых близко к нулю.
Рис. 7.5. Эквивалентная схема
теплоотвода
ИС
t
О
ИС
R
к
R
т
t
О
С