ВУЗ:
Составители:
78
ность конструкции. Эквивалентная схема теплоотвода от корпуса ИС в
этом случае имеет вид (рис. 7.5):
где R
к
– тепловое сопротивление клея,
рассчитываемое по формуле:
R
K
K
K
K
S⋅
=
λ
δ
,
где δ
к
, λ
к
, S
к
–параметры слоя клеевого
соединения, как участка теплопровода.
R
т
– тепловое сопротивление тепло-
отводящей шины, рассчитываемое по
формуле:
R
Т
Т
Т
Т
S⋅
=
λ
δ
.
где δ
т
, λ
т
, S
т
– параметры теплоотводя-
щей шины.
Так как теплопроводность клея λ
К
очень низкая, то тепловое сопротивле-
ние клееного соединения микросхемы получается соизмеримым с тепло-
вым соединением шины. Отсюда следует:
1.
Необходимо исполнить клееные соединения малой толщиной клея
δ
К
(не более 0,1 мм).
2.
Увеличивают теплопроводность клея, применяя пасты с повышен-
ной теплопроводностью либо добавляя компоненты высокой теплопровод-
ности.
3.
Тепловое сопротивление теплопровода нет смысла приближать к
нулю, увеличивая сечение S, а поэтому толщину теплопроводящих шин
ограничивают значением 0,5-0,6 мм. Для микросборок или корпусирован-
ных ИС в корпусе толщина теплопровода может быть увеличена до 1,8 мм.
Теплопроводящее основание представляет собой конструкцию тепло-
провода по всей плоскости печатной платы, в котором выполняются окна
под выводы
микросхем.
Улучшить условия охлаждения теплопроводом можно, уменьшая дли-
ну теплопровода от транзистора или микросхемы на корпус прибора, для
этого предлагают транзистор с радиатором установить не на печатную
плату, а на несущие металлические конструкции прибора. Лучше когда ра-
диатор с транзисторами используется в качестве несущей конструкции
устройства.
Значительно увеличить теплопроводность можно
с помощью тепловых
труб – стержней, тепловое сопротивление которых близко к нулю.
Рис. 7.5. Эквивалентная схема
теплоотвода
ИС
t
О
ИС
R
к
R
т
t
О
С
ность конструкции. Эквивалентная схема теплоотвода от корпуса ИС в этом случае имеет вид (рис. 7.5): где Rк – тепловое сопротивление клея, tОИС рассчитываемое по формуле: ИС δK RK = , λK ⋅ S K Rк где δк, λк, Sк –параметры слоя клеевого соединения, как участка теплопровода. Rт – тепловое сопротивление тепло- Rт отводящей шины, рассчитываемое по формуле: δТ RТ = . tОС λТ ⋅ SТ где δт, λт, Sт – параметры теплоотводя- Рис. 7.5. Эквивалентная схема щей шины. теплоотвода Так как теплопроводность клея λК очень низкая, то тепловое сопротивле- ние клееного соединения микросхемы получается соизмеримым с тепло- вым соединением шины. Отсюда следует: 1. Необходимо исполнить клееные соединения малой толщиной клея δК (не более 0,1 мм). 2. Увеличивают теплопроводность клея, применяя пасты с повышен- ной теплопроводностью либо добавляя компоненты высокой теплопровод- ности. 3. Тепловое сопротивление теплопровода нет смысла приближать к нулю, увеличивая сечение S, а поэтому толщину теплопроводящих шин ограничивают значением 0,5-0,6 мм. Для микросборок или корпусирован- ных ИС в корпусе толщина теплопровода может быть увеличена до 1,8 мм. Теплопроводящее основание представляет собой конструкцию тепло- провода по всей плоскости печатной платы, в котором выполняются окна под выводы микросхем. Улучшить условия охлаждения теплопроводом можно, уменьшая дли- ну теплопровода от транзистора или микросхемы на корпус прибора, для этого предлагают транзистор с радиатором установить не на печатную плату, а на несущие металлические конструкции прибора. Лучше когда ра- диатор с транзисторами используется в качестве несущей конструкции устройства. Значительно увеличить теплопроводность можно с помощью тепловых труб – стержней, тепловое сопротивление которых близко к нулю. 78
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 77
- 78
- 79
- 80
- 81
- …
- следующая ›
- последняя »