История и методология информатики и вычислительной техники. Парфенов П.С. - 55 стр.

UptoLike

Составители: 

57
с Шокли получила работающий прибор. По технологическим причинам
полевые транзисторы попали в производство лишь в 1970-х гг., а
востребованными оказались к 1980-м. В полевых транзисторах
электрическое поле, возникающее под затвором при подаче входного
напряжения, влияет на концентрацию носителей заряда в канале, меняя
его сопротивление, а значит и ток между истоком и стоком. Самый
распространенный вид полевого транзистора с металлическим
затвором и изолятором из оксида кремния между затвором и каналом,
или МОП-транзистор (металл-окисел-полупроводник, MOS).
Частотные пределы для транзисторов общего назначения
составляют сотни мегагерц, для высокочастотных около 10 ГГц.
Изготовлении транзистора по более совершенным технологиям,
например при размещении элементов по вертикали, и с применением
других материалов (например арсенида галлия), граница частоты
сдвигается вверх. Так, в 2002 г. компания IBM сообщила о достижении
частоты 110 ГГц германий-кремниевым транзистором. А в 2008 году эта
же компания сообщила о создании графенового транзистора, частота
переключения которого составила 26 ГГц, и теоретически может достичь
терагерца.
§4.2. Интегральные схемы
Интегральная схема (ИС) это электронная схема произвольной
сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле (или
плёнке) и помещённая в неразборный корпус. Первые интегральные
схемы были продемонстрированные Дж. Килби в 1958 г. и Р. Нойсом в
1959 г. Патент Килби описывал ИС как «полупроводниковый материал, в
который интегрированы элементы и связи между ними», т.е. то, что и
принято называть микросхемами, но поначалу стали выпускаться
микросборки блоки дискретных элементов в миниатюрном
исполнении. В частности IBM, назвавшая серию System/360
компьютерами нового «поколения микросхем», выбрала в качестве
элементной базы именно микросборки, как более проверенную
технологию.
Интегральные схемы, в зависимости от рассматриваемого
признака, можно разделить на группы:
по способу изготовления гибридные, пленочные,
полупроводниковые;
по используемой логике в настоящее время это КМОП и ТТЛ;
по степени интеграцииот десятков до миллиардов элементов;
по виду обрабатываемого сигналааналоговые, цифровые.
Появление пленочной технологии позволило в едином
технологическом цикле выполнять элементы ИС (проводники,