История и методология информатики и вычислительной техники. Парфенов П.С. - 57 стр.

UptoLike

Составители: 

59
Рис. 4.3. Схемы логических элементов ИЛИ-НЕ, выполненные по
технологиям ТТЛ и КМОП (иллюстрация из [4.3])
Современная цифровая техника построена, в основном, по
полупроводниковой технологии на КМОП-транзисторах, которые в 1990-
е гг. вытеснили биполярные транзисторы из цифровой техники. Основой
самых быстродействующих микропроцессоров сегодня является
технология «кремний на диэлектрике» (SOI). Что касается
быстродействия, то, в отличие от транзисторов, для которых основной
параметр частота, для ИС не менее важным параметром является длина
затвора, задающая плотность компоновки элементов. Поскольку
изготовить быстрый транзистор недостаточно требуется еще уместить
их на небольшой площади. Длина затвора транзистора с традиционной
планарной МОП-структурой от 10 мкм в 70-х годах до 130 нм,
достигнутых к 2001 г., эволюционировала путем простого
масштабирования, т.е. уменьшения длины затвора, толщины диэлектрика
и глубины залегания p-n-переходов. Дальнейший прогресс связан с
переходом от использования света к электронно-лучевой литографии,
переходом на новые материалы (напряженный кремний, германий,
индий, арсенид галлия) отказ от «плоскостной» структуры транзистора.
В 2008 г. характеристический размер транзистора достиг 45 нм, в 2009
были представлены микросхемы, выполненные по технологии 22 нм.
При линейной экстраполяции существующих технологий один из
«пределов» настанет в 2020 г., когда размеры элементов уровня, на
котором их поведение будет описываться не электроникой, а квантовой
физикой. Следующим фундаментальным пределом для электроники
может считаться точность определения положения электрона в
пространстве, которой является комптоновская длина волны:
λ
c
= h/m
e
c = 2,4×10
-12
м = 0,002 нм, где h постоянная Планка, m
e
масса электрона, сскорость света.
Дата достижения этого «предела» попадает на 2030-е гг. [4.4].
§4.3. Квантово-размерные структуры [4.5]
В последнее время в микро- и оптоэлектронике все шире
используются структуры, в которых проявляется эффект размерного