Составители:
Рубрика:
15
R
к3
≤[3-(-10)-1-5-2-0,2]/2·10
-3
=2,4 кОм
Для схем рис.6 и рис.7 остановимся лишь на некоторых основных
особенностях, вытекающих из применения в составе первой из них
двухтранзисторного каскада на эмиттерно-связанных транзисторах, а второй -
схемы ОЭ-ОБ с последовательным питанием каскадов на постоянном токе.
Для схемы рис.6:
1. В первом каскаде (каскаде на транзисторах VT
1
и VT
2
) в качестве
токозадающей разности потенциалов U
0
выступает напряжение E
п+
=3 В, в
результате чего падение напряжения на сопротивлении R
э
U
0э
=U
0
-0,7=3-0,7=2,3 В.
2. Сопротивление
R
э
=U
0э
/(2I
к0
)=2,3/(2·2·10
-3
)≈570 Ом
Остальные пункты расчетов по характеру и содержанию аналогичны
соответствующим пунктам расчета схемы рис.5.
Для схемы рис.7:
1. Вычисляем значение эмиттерного R
э1
сопротивления в токозадающем
каскаде на транзисторе VT
1
, задаваясь напряжением на этом сопротивлении,
равным одному вольту:
R
э1
=1/2·10
-3
=500 Ом.
2. Вычисляем значение сопротивления резистора R
3
, считая, что через него
протекает ток делителя I
дел
=0,5 мА (см. п.5 расчета схемы рис.5), а падение
напряжения на нем определяет значание напряжения U
кэ01
транзистора VT
1
.
Значение этoro напряжения выберем равным четырем вольтам из условия (2)
работы транзистора VT
1
в линейном режиме. В результате выполнения
перечисленных условий
R
3
=U
кэ01
/I
дел
=4/0,5·10-3=8 кОм.
Остальные пункты расчетов по характеру и содержанию аналогичны
соответствующим пунктам расчета схемы рис. 5.
Анализ воздайствия дестабилиэирующих факторов на работу каскада
на постоянном токе (этап V)
На рис. 10 приведена эквивалентная схема каскада, с помощью которой
осуществляют анализ воздействия дестабилизирующих факторов на положение
ИРТ в каскаде. Схема составлена с учетом того, что в точках подключения к
каскадам источников питания E
п+
и Е
п-
отсутствуют какие-либо изменения
потенциалов. В результате этого при составлении эквивалентной схемы для
переменных составляющих потенциалов указанные точки могут быть приняты
за точки нулевого потенциала. На эквивалентной схеме воздействия основных
дестабилизирующих факторов представлены с помощью соответствующих
генераторов тока и напряжения. Для кремниевого биполярного транзистора к
таким факторам относится неопределенность и непостоянство ∆U
бэ
номинальной разности потенциалов база-эмиттер U
бэ0
и ∆β коэффициента
передачи тока базы β. Перечисленные неопределенности и непостоянство
параметров обусловлены как технологическим разбросом характеристик
транзистора, так и температурными их изменениями.
Отклонение ∆tºC температуры от ее номинального значения приводят к
следующим изменениям характеристик транзисторов: ∆U
бэ
t
=2,1·10
-3
·∆tºC;
∆β
t
=0,005 β ∆tºC, где ∆tºC – предельное отклонение температуры транзистора от
номинального ее значения t
ном
(t
ном
=20ºC).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
