Составители:
Рубрика:
4
предполагается осуществлять от двух источников питания, один из которых
вырабатывает положительный потенциал E
п+
, а другой - отрицательный E
п-
.
В задании также содержатся следующие данные: R
н
, С
н
- значения
параметров внешней цепи, на которую нагружен выход усилителя; t
max
и t
min
-
пределы возможных изменений внешней температуры, при которых отклонения
режимов работы усилительных каскадов на постоянном токе номинальных не
должны превышать допустимых; R
c
- сопротивление источника сигнала.
Пример задания на проектирование приведен в табл. 1.
Таблица 1
Структура
усилителя
E
п+
В
E
п-
В
t
н
нс
∆
%
t
и
мс
С
н
пФ
R
н
кОм
R
c
Ом
t
min
°С
t
max
°С
U
м
В
ОЭ-ОК-ОЭ +10 -5 30 5 0,5 20 100 1,1 -10 +50 +5
Проектирование рекомендуется выполнить применительно к
использованию в усилительном тракте транзистора со следующими
номинальными значениями основных параметров:
сопротивление базовой области r
б
– 30 0м;
коэффициент усиления по току в схеме ОЭ h
21э
(β) – 100;
обратный ток эмиттерного перехода I
оэ
– 10
-14
A;
напряжение Эрли – 150 В;
максимальный ток коллектора I
к
max
– 0,3 А;
паразитная емкость перехода база-коллектор С
бк
– 1 пФ;
модуль коэффициента усиления по току в схеме ОЭ на частоте 250 МГц –
4;
технологический разброс ∆U
бэт
номинального напряжения база-эмиттер –
±30 мВ;
разброс ∆β коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ – ±15.
Далее приводится содержание основных этапов проектирования.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
