Составители:
Рубрика:
6
2. В соответствии с данными о полярности выходного импульса ("+" или "-
") определить и отметить на структурной схеме полярности сигнальных
импульсов, наблюдаемле на входах отдельных кас кадов. При этом следует
учитывать, что каскад типа ОЭ является инвертирующим, а каскады ОК и ОБ –
неинвертирующими.
3. Руководствуясь данными табл.2, а также рекомендациями по
построению схемных конфигурации рис.2, определить тип проводимости
транзисторов, предполагаемых к использованию в усилительном тракте.
Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов
постоянными напряжениями и токами (этап II)
Важнейшим требованием, которому должна отвечать схема современного
электронного устройства, являются его серийнопригодность, под которой
понимается возможность изготовления этого устройства при минимальном
числе настроечно-наладочных операций. Условию высокой
серийнопригодности в первую очередь отвечают такие усилительные схемы, в
которых обеспечивается высокая стабильность режимов работы на постоянном
токе, слабая зависимость этих режимов от свойств конкретного транзистора и
условий его работы. Условия работы транзистора в каскаде характеризуют
положением рабочей точки, под которой понимается точка на плоскости
выходных вольт-амперных характеристик транзистора, связывающая текущие
изменения токов и напряжений в каскаде в процессе усиления сигналов.
Рабочая точка, соответствующая отсутствию сигнала, называется исходной
рабочей точкой (ИРТ).
В дальнейшем будем полагать, что в связи с малым относительным
уровнем тока базы I
б0
ток коллектора практически равен току эмиттера. В этих
условиях положение ИРТ однозначно можно охарактеризовать током
коллектора I
к0
и разностью потенциалов коллектор-эмиттер U
кэ0
.
На рис.4,а приведена схема, которая при определенных условиях
обеспечивает высокую стабильность положения ИРТ и, соответственно,
высокую стабильность параметров транзистора и схемы в целом. В этой схеме
базовый вывод транзистора питается от низкоомной цепи, в результате чего
потенциал U
б0
этоо вывода практически не зависит от тока I
б0
и, следовательно,
от свойств конкретного транзистора и режима его работы, В соответствии с
этим схему рис.4,а и ей подобные называют схемами с фиксированным
потенциалом базы. В состав схемы в общем случае входит коллекторное R
к
и
эмиттерное R
э
сопротивление. В зависимости от типа включения транзистора в
каскад сопротивление R
к
может выступать как в роли основного элемента
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
