Составители:
Рубрика:
7
нагрузки (при включениях транзистора по схеме ОЭ или ОБ), так и в качестве
составных частей цепей фильтрации. Сопротивление R
э
обычно является
основным звеном, определяющим исходное значение постоянного тока в
выходной коллекторно-эмиттерной цепи. Оно также может являться элементом
нагрузки при включениях транзистора по схеме ОК.
В схемах рис.4,б,в требуемый потенциал U
б0
создается с помощью
низкоомного резистивного делителя напряжения E
п
(схема рис.4,б
соответствует каскаду на транзисторе n-p-n типа,а рис.4,в – p-n-p типа). В
условиях, когда I
дел
значительно превышает ток базы I
б0
=I
к0
/h
21э
, потенциал базы
U
б0
практически не зависит от тока базы I
б0
, т.е. от свойств конкретного
транзистора, что и дает основание отнести схемы рис.4,б,в к схемам с
фиксированным потенциалом базы.
Разность потенциалов U
0
= U
б0
-E
п-
в соответствии с той ролью которую она
играет в обеспечении заданного значения тока I
к0
, будем называть
токозадающей разностью потенциалов и обозначать U
0
.
При организации многокаскадной схемы усилителя как схемы с
непосредственными межкаскадными связями (а именно такую организацию
схемы обусловливает задание на проектирование) с помощью базового делителя
создается потенциал U
0
только во входном каскаде усилительного тракта. В
остальных его каскадах в роли указанного потенциала выступает выходной
постоянный потенциал предшествующего каскада. Исключение из этого
правила могут составить тракты, в которых применяются двухтранзисторные
звенья, организованные в соответствии со структурными схемами рис.2.
На изображенных на рис. 4 схемах шины положительного питающего
напряжения находятся в верхней части изображения, а отрицательного – в
нижней. При этом условно положительные направления протекания токов в
коллекторно-эмиттерных цепях транзистора оказываются совпадающими с
направлениями стрелок, изображенных, на эмиттерных выводах транзисторов n-
p-n- и р-n-р- типа.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
