Составители:
Рубрика:
9
обеспечение симметрии схемы на постоянном токе, которая может быть
достигнута строгим выравниванием тскозадающих потенциалов U
01
и U
02
в
точках подключения базовых выводов транзисторов VT
1
и VT
2
.
Необходимость выполнения условия симметрии связана с тем, что
рассматриваемая схема весьма чувствительна к разности потенциалов между
базовыми выводами транзисторов VT
1
и VT
2
, т.е. к разности потенциалов
∆U
0
=U
01
-U
02
. Возникновение этой разности потенциалов приводит к
существенному различию исходных значений токов, протекающих через
транзисторы VT
1
и VT
2
. Появление разности потенциалов между базами
транзисторов в 70... 80 мВ вызывает практически полную асимметрию в работе
схемы на постоянном токе, при которой один из транзисторов оказывается
закрытым, а другой – в состоянии насыщения, вследствие чего схема теряет
способность усиливать сигналы. Обычно требование высокой симметрии
питания базовых выводов транзисторов достигается за счет иcпользования в
схеме питания каскадов разнополярных источников и подключения базовых
выводов транзисторов на постоянном токе к точке нулевого потенциала.
Указанный прием реализован в схеме рис.6.
На рис.7 изображена схема питания на постоянном токе каскадов
усилительного тракта ОЭ-ОБ-ОК, предназначенного для формирования
отрицательных импульсных сигналов. Тракт в соответствии с рекомендациями
о характере построения усилительного звена ОЭ-ОБ содержит
двухтранзисторную схему, в которой питание каскадов осуществляется по
последовательной схеме. При этом транзистор VT
1
в последовательном
соединении играет роль токозадающего. В схеме в качестве токозадающей
разности потенциалов U
01
в первом каскаде выступает падение напряжения на
резисторе R
З
. Разность потенциалов на резисторе R
2
задает напряжение
коллектор-эмиттер транзистора VT
1
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
