Диодные структуры. Петров Б.К - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

4. Установить прямой ток диода в пределах 20 – 50 мА.
5. Регулируя прямой ток диода или амплитуду импульсов, добиться
характерного вида кривой релаксации обратного тока с плоской вершиной (см.
рис. 4).
6. Провести измерение величины прямого тока диода i
пр
по миллиамперметру
макета , а также напряжения U
обр
с помощью осциллографа . Рассчитать величину
обратного тока i
обр
=U
обр
/R
изм
. Измерить длительность плоской вершины кривой
релаксации.
7. Повторить измерения пункта 6 для трех различных значений длительности
плоской вершины. Рассчитать соответствующие значения времени жизни
неосновных носителей заряда τ
p.
2.4.3. Измерение времени жизни неосновных носителей и контактной
разности потенциалов в режиме рассасывания
1. Поставить переключатель на макете в положение “СХ 2”.
2. Подать с генератора положительный импульс амплитудой около 5 В
длительностью 10 мкс на генератор прямого тока .
3. Установить ручку “длительность” на осциллографе в положение 10 мкс/дел.
4. Меняя усиление осциллографа , получить изображение импульса напряжения
на диоде согласно рис. 11.
5. Провести измерение ∆U и ∆t, вычислить τ
p
и сравнить результаты двух
способов измерений.
6. Увеличивая прямой ток через диод, измерить величину U
Д
, приблизительно
равную контактной разности потенциалов ϕ
к
.
Рис. 11. Осциллограмма импульса прямого напря-
жения на испытуемом диоде , включенном по схеме 2.
1. Передний фронт импульса .
2. Задний фронт импульса .
3. Кривая рассасывания заряда дырок в базе .
U
Д
1
2
3
∆
U
∆
t
t
t
и
4. У ста но ви тьпр ямо й то к ди о да в пр е де ла х 20 –50 мА.
5. Ре гули р уя пр ямо й то к ди о да и ли а мпли туду и мпульсо в, до б и ться
ха р а кте р но го ви да кр и во й р е ла кса ци и о б р а тно го то ка с пло ско й ве р ш и но й (см.
р и с. 4).
6. П р о ве сти и зме р е ни е ве ли чи ны пр ямо го то ка ди о да iп р по ми лли а мпе р ме тр у
ма ке та , а та кж е на пр яж е ни я Uо б р с по мо щ ью о сци лло гр а фа . Ра ссчи та ть ве ли чи ну
о б р а тно го то ка iо б р =Uо б р /Rи зм . И зме р и ть дли те льно сть пло ско й ве р ш и ны кр и во й
р е ла кса ци и .
7. П о вто р и ть и зме р е ни я пункта 6 для тр е х р а зли чных зна че ни й дли те льно сти
пло ско й ве р ш и ны. Ра ссчи та ть со о тве тствую щ и е зна че ни я вр е ме ни ж и зни
не о сно вных но си те ле й за р яда τp.

       2.4.3. И зм ерение врем ени ж изни неосновных носител ей и к онтак тной
разности потенц иал оввреж им ерассасывания


1. П о ста ви тьпе р е клю ча те льна ма ке те в по ло ж е ни е “ СХ 2”.
2. П о да ть с ге не р а то р а по ло ж и те льный и мпульс а мпли тудо й о ко ло 5 В
дли те льно стью 10 мкс на ге не р а то р пр ямо го то ка .
3. У ста но ви тьр учку “ дли те льно сть” на о сци лло гр а фе в по ло ж е ни е 10 мкс/де л.
4. М е няя уси ле ни е о сци лло гр а фа , по лучи ть и зо б р а ж е ни е и мпульса на пр яж е ни я
на ди о де со гла сно р и с. 11.

                 UД

                                     2
                           1
                                          3     ∆U

                                          ∆t
                               tи
                                                                   t
                     Ри с. 11. О сци лло гр а мма и мпульса пр ямо го на пр я-
                     ж е ни я на и спытуе мо м ди о де , вклю че нно м по схе ме 2.
                     1. П е р е дни й фр о нти мпульса .
                     2. За дни й фр о нти мпульса .
                     3. Кр и ва я р а сса сыва ни я за р яда дыр о к в б а зе .
5. П р о ве сти и зме р е ни е ∆U и ∆t, вычи сли ть τp и ср а вни ть р е зульта ты двух
спо со б о в и зме р е ни й.
6. У ве ли чи ва я пр ямо й то к че р е з ди о д, и зме р и ть ве ли чи ну UД , пр и б ли зи те льно
р а вную ко нта ктно й р а зно сти по те нци а ло в ϕк .

Страницы