Диодные структуры. Петров Б.К - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

Определим это напряжение U
pn макс
. Концентрация дырок вблизи запорного
слоя p(x=0, t)
(
)
−
−==
kT
Uq
ptxp
pnмакск
p
ϕ
exp),0(
0
. (27)
С увеличением амплитуды импульсов величина
p(x=0,t) приближается к
равновесной концентрации дырок в p
+
-области p
p0
. Поэтому при достаточно больших
импульсах тока остаточное напряжение U
pnмакс
≈ϕ
к
.
2.3 . Малые напряжения и токи
При приложении к диоду малого прямого напряжения эффект модуляции
сопротивления базы диода из-за малого уровня инжекции пренебрежимо мал . Поэтому
сопротивление диода в данном случае имеет емкостной характер . В первый момент
напряжение на p-n-переходе близко к нулю, а ток через диод ограничен только
сопротивлением базы диода. По мере заряда барьерной емкости напряжение на p-n-
переходе и ток через диод стремятся к некоторым установившимся значениям , которые
определяются активной составляющей сопротивления p-n-перехода. В момент
переключения напряжение на барьерной емкости не может измениться мгновенно , оно
достигает установившегося значения через некоторое время. Ток через диод также
зависит от времени , что характерно для емкостного сопротивления. Процессы заряда и
разряда емкости через сопротивление хорошо известны и здесь не рассматриваются .
2.4. Практическая часть 
      О пр е де ли м это на пр яж е ни е Upn м а к с . Ко нце нтр а ци я дыр о к вб ли зи за по р но го
сло я p(x=0, t)

                                   q(ϕ к − U pnм а к с ) 
       p ( x = 0, t ) = p p 0 exp −                      .                           (27)
                                          kT              
      С   увел ичением     ам пл итуд ы им пул ь сов вел ичина          p(x=0,t) прибл иж ается к
равновесной к онц ентрац ии д ырок в p+-обл асти pp0. П оэ том у при д остаточно бол ь ш их
им пул ь сахток а остаточноенапряж ениеUpnм а кс ≈ϕк.



      2.3 . М ал ыенапряж ения и ток и


      П ри прил ож ении к д иод у м ал ого прям ого напряж ения                 э ф ф ек т м од ул яц ии
сопротивл ения б
               азы д иод а из-за м ал ого уровня инж ек ц ии пренебреж им о м ал . П оэ том у
сопротивл ение д иод а в д анном сл учае им еет ем к остной харак тер. В первый м ом ент
напряж ение на p-n-переход е бл изк о к нул ю , а ток через д иод ограничен тол ь к о
сопротивл ением б
                азы д иод а. П о м ере заряд а барь ерной ем к ости напряж ение на p-n-
переход е и ток через д иод стрем ятся к нек оторым установивш им ся значениям , к оторые
опред ел яю тся   ак тивной    составл яю щ ей     сопротивл ения       p-n-переход а.    В     м ом ент
перек л ю чения напряж ение на барь ерной ем к ости не м ож ет изм енить ся м гновенно, оно
д остигает установивш егося значения через нек оторое врем я. Т ок через д иод так ж е
зависит от врем ени, что харак терно д л я ем к остного сопротивл ения. П роц ессы заряд а и
разряд а ем к ости черезсопротивл ениехорош о известны и зд есь нерассм атриваю тся.



      2.4. П р а кти че ска я ча сть

Страницы