ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
последовательно включенное с сопротивлением p-n-перехода. Параллельно p-n-переходу
включена емкость C
Д
, учитывающая барьерную емкость перехода. Вся цепь шунтируется
емкостью корпуса прибора .
Проанализируем осциллограмму напряжения на диоде. Емкость корпуса прибора
учитывать не будем ввиду ее малости . На рис. 9 приведены осциллограммы напряжений
на базе, на p-n переходе диода и
суммарная диаграмма,
отражающая полное напряжение
на диоде. В начальный момент
времени напряжение на диоде
определяется величиной импульса
тока и сопротивлением базы .
Напряжение на p-n переходе,
шунтированном емкостью ,
отсутствует . По мере накопления
дырок в базе сопротивление базы
и , следовательно, напряжение на
ней , уменьшается . Напряжение на
переходе увеличивается , так как
емкость перехода заряжается . В
момент окончания импульса тока
напряжение на базе скачком
падает до нулевого значения.
Величина скачка U
2
определяется
сопротивлением базы и
амплитудой импульса тока.
Изменение сопротивления
базы при заполнении носителями
заряда называют модуляцией
сопротивления базы . Величину
базового сопротивления можно
найти , измеряя начальное падение
напряжения на диоде U
1
.
в)
б )
а )
t
t
t
U
1
U
2
U
pn макс
U
pn макс
U
2
U
б
U
1
U
pn
U
Рис. 9. Временные диаграммы напряжения
при прохождении через диод прямоугольного
импульса тока :
а ) напряжение на базе диода ;
б ) напряжение на p-n переходе ;
∆
U
∆
t
t
и
t
и
t
и
0
0
посл ед овател ь но вк л ю ченное с сопротивл ением p-n-переход а. П арал л ел ь но p-n-переход у
вк л ю чена ем к ость CД , учитываю щ ая барь ерную ем к ость переход а. В ся ц епь ш унтируется
ем к ость ю к орпуса приб
ора.
П роанал изируем осц ил л ограм м у напряж ения на д иод е. Е м к ость к орпуса прибора
учитывать не буд ем ввид у ее м ал ости. Н а рис. 9 привед ены осц ил л ограм м ы напряж ений
на базе, на p-n переход е д иод а и
Uб сум м арная д иаграм м а,
U1 отраж аю щ ая пол ное напряж ение
на д иод е. В начал ь ный м ом ент
врем ени напряж ение на д иод е
опред ел яется вел ичиной им пул ь са
U2
ток а и сопротивл ением базы.
0 tи t
Н апряж ение на p-n переход е,
а)
ш унтированном ем к ость ю ,
Upn
отсутствует. П о м ере нак опл ения
д ырок в базе сопротивл ение базы
Upn ма кс и, сл ед овател ь но, напряж ение на
ней, ум ень ш ается. Н апряж ение на
переход е увел ичивается, так к ак
0 tи t ем к ость переход а заряж ается. В
б) м ом ент ок ончания им пул ь са ток а
U напряж ение на базе ск ачк ом
пад ает до нул евого значения.
U1
В ел ичина ск ачк а U2 опред ел яется
сопротивл ением базы и
ам пл итуд ой им пул ь са ток а.
U2 И зм енение сопротивл ения
базы при запол нении носител ям и
Upn ма кс
заряд а называю т м од ул яц ией
∆U сопротивл ения базы. В ел ичину
базового сопротивл ения м ож но
tи ∆t t найти, изм еряя начал ь ноепад ение
в)
напряж ения на д иод еU1.
Ри с. 9. В р е ме нные ди а гр а ммына пр яж е ни я
пр и пр о хо ж де ни и че р е з ди о д пр ямо уго льно го
и мпульса то ка :
а ) на пр яж е ни е на б а зе ди о да ;
б ) на пр яж е ни е на p-n пе р е хо де ;
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
