ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
последовательно включенное с сопротивлением p-n-перехода. Параллельно p-n-переходу
включена емкость C
Д
, учитывающая барьерную емкость перехода. Вся цепь шунтируется
емкостью корпуса прибора .
Проанализируем осциллограмму напряжения на диоде. Емкость корпуса прибора
учитывать не будем ввиду ее малости . На рис. 9 приведены осциллограммы напряжений
на базе, на p-n переходе диода и
суммарная диаграмма,
отражающая полное напряжение
на диоде. В начальный момент
времени напряжение на диоде
определяется величиной импульса
тока и сопротивлением базы .
Напряжение на p-n переходе,
шунтированном емкостью ,
отсутствует . По мере накопления
дырок в базе сопротивление базы
и , следовательно, напряжение на
ней , уменьшается . Напряжение на
переходе увеличивается , так как
емкость перехода заряжается . В
момент окончания импульса тока
напряжение на базе скачком
падает до нулевого значения.
Величина скачка U
2
определяется
сопротивлением базы и
амплитудой импульса тока.
Изменение сопротивления
базы при заполнении носителями
заряда называют модуляцией
сопротивления базы . Величину
базового сопротивления можно
найти , измеряя начальное падение
напряжения на диоде U
1
.
в)
б )
а )
t
t
t
U
1
U
2
U
pn макс
U
pn макс
U
2
U
б
U
1
U
pn
U
Рис. 9. Временные диаграммы напряжения
при прохождении через диод прямоугольного
импульса тока :
а ) напряжение на базе диода ;
б ) напряжение на p-n переходе ;
∆
U
∆
t
t
и
t
и
t
и
0
0
посл ед овател ь но вк л ю ченное с сопротивл ением p-n-переход а. П арал л ел ь но p-n-переход у вк л ю чена ем к ость CД , учитываю щ ая барь ерную ем к ость переход а. В ся ц епь ш унтируется ем к ость ю к орпуса приб ора. П роанал изируем осц ил л ограм м у напряж ения на д иод е. Е м к ость к орпуса прибора учитывать не буд ем ввид у ее м ал ости. Н а рис. 9 привед ены осц ил л ограм м ы напряж ений на базе, на p-n переход е д иод а и Uб сум м арная д иаграм м а, U1 отраж аю щ ая пол ное напряж ение на д иод е. В начал ь ный м ом ент врем ени напряж ение на д иод е опред ел яется вел ичиной им пул ь са U2 ток а и сопротивл ением базы. 0 tи t Н апряж ение на p-n переход е, а) ш унтированном ем к ость ю , Upn отсутствует. П о м ере нак опл ения д ырок в базе сопротивл ение базы Upn ма кс и, сл ед овател ь но, напряж ение на ней, ум ень ш ается. Н апряж ение на переход е увел ичивается, так к ак 0 tи t ем к ость переход а заряж ается. В б) м ом ент ок ончания им пул ь са ток а U напряж ение на базе ск ачк ом пад ает до нул евого значения. U1 В ел ичина ск ачк а U2 опред ел яется сопротивл ением базы и ам пл итуд ой им пул ь са ток а. U2 И зм енение сопротивл ения базы при запол нении носител ям и Upn ма кс заряд а называю т м од ул яц ией ∆U сопротивл ения базы. В ел ичину базового сопротивл ения м ож но tи ∆t t найти, изм еряя начал ь ноепад ение в) напряж ения на д иод еU1. Ри с. 9. В р е ме нные ди а гр а ммына пр яж е ни я пр и пр о хо ж де ни и че р е з ди о д пр ямо уго льно го и мпульса то ка : а ) на пр яж е ни е на б а зе ди о да ; б ) на пр яж е ни е на p-n пе р е хо де ;
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »