Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 12 стр.

UptoLike

12
При достаточно низких температурах эта скорость становится близкой к нулю и
рост зародышей прекращается.
Отсюда следует, что при охлаждении жидкости обязательно должна быть
достигнута такая область температур, где кинетический фактор, ведущий к
снижению скорости образования центров при снижении температуры, должен
оказаться доминирующим. В результате неизбежно появление на кривой
температурной зависимости скорости образования центров кристаллизации
максимума (рис.1.2). При температурах выше температуры этого максимума
скорости образования центров контролируются термодинамическими
факторами, при более низких температурах - кинетическими. Положение
такого максимума должно зависеть от влияния температуры на разность
свободных энергий аморфного тела и кристалла, от величины поверхностного
натяжения на границе двух фаз и от величины вязкости. Рассмотрим теперь, как
зависит скорость роста кристаллитов от влияния этих факторов. При этом
можно пренебречь влиянием поверхностного натяжения на границе раздела
жидкость - кристалл, так как в данном случае мало отношение площади
поверхности кристалла к его объему.
Большую роль в процессе роста кристаллитов играют процессы
диффузии. С увеличением скорости диффузии в жидкости происходит
увеличение скорости роста кристаллитов. Такие особенности механизма роста
кристаллов должны приводить к увеличению скорости роста при меньших
переохлаждениях, чем это характерно для скорости образования центров
(ввиду отсутствия фактора поверхностного натяжения ), и к началу ее снижения
при температурах, отвечающих меньшей вязкости ( ввиду роли диффузного
переноса ). Таким образом, максимум скорости роста кристаллитов всегда
приходится на область более высоких температур, чем максимум скорости
образования центров ( рис.1.3 ).
В режиме охлаждения от температуры, существенно превышающей
температуру ликвидуса Т
Л
, жидкое вещество оказывается более устойчивым к
кристаллизации, чем в режиме нагревания из аморфного состояния. Это
При достаточно низких температурах эта скорость становится близкой к нулю и
рост зародышей прекращается.
     Отсюда следует, что при охлаждении жидкости обязательно должна быть
достигнута такая область температур, где кинетический фактор, ведущий к
снижению скорости образования центров при снижении температуры, должен
оказаться доминирующим. В результате неизбежно появление на кривой
температурной зависимости скорости образования центров кристаллизации
максимума (рис.1.2). При температурах выше температуры этого максимума
скорости    образования    центров    контролируются   термодинамическими
факторами, при более низких температурах - кинетическими. Положение
такого максимума должно зависеть от влияния температуры на разность
свободных энергий аморфного тела и кристалла, от величины поверхностного
натяжения на границе двух фаз и от величины вязкости. Рассмотрим теперь, как
зависит скорость роста кристаллитов от влияния этих факторов. При этом
можно пренебречь влиянием поверхностного натяжения на границе раздела
жидкость - кристалл, так как в данном случае мало отношение площади
поверхности кристалла к его объему.
     Большую роль в процессе роста кристаллитов играют процессы
диффузии. С увеличением скорости диффузии в жидкости происходит
увеличение скорости роста кристаллитов. Такие особенности механизма роста
кристаллов должны приводить к увеличению скорости роста при меньших
переохлаждениях, чем это характерно для скорости образования центров
(ввиду отсутствия фактора поверхностного натяжения ), и к началу ее снижения
при температурах, отвечающих меньшей вязкости ( ввиду роли диффузного
переноса ). Таким образом, максимум скорости роста кристаллитов всегда
приходится на область более высоких температур, чем максимум скорости
образования центров ( рис.1.3 ).
     В режиме охлаждения от температуры, существенно превышающей
температуру ликвидуса ТЛ, жидкое вещество оказывается более устойчивым к
кристаллизации, чем в режиме нагревания из аморфного состояния. Это

                                                                          12