Транзисторы. Петров Б.К - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

10
коллекторный p-n-переход перестает вытягивать из базы неосновные носители .
Из-за повышения их концентрации возрастает скорость рекомбинации в базе и
увеличивается ток базы . Возникает также и дополнительная составляющая
базового тока вследствие инжекции дырок из базы в коллектор, где они
рекомбинируют с электронами. В результате ток базы становится сравнимым с
током эмиттера , а ток коллектора оказывается небольшим по сравнению с ними
и определяется величиной последовательного сопротивления в цепи
коллектора. Транзистор перестает управляться. Режим насыщения используется
обычно в ключевых устройствах из- за малого падения напряжения на
транзисторе (падения напряжения на коллекторном и эмиттерном p-n-
переходах компенсируют друг друга). Однако накопление заряда в транзисторе
приводит к длительному выключению , поскольку транзистор перейдет в режим
отсечки только после исчезновения заряда в базе.
На рис. 5 показано распределение потоков носителей в режиме отсечки в
n-p-n-транзисторе. При этом в транзисторе протекают очень малые обратные
токи эмиттерного и коллекторного переходов, возникающие вследствие
тепловой генерации в области эмиттера, базы , эмиттерного и коллекторного
переходов, а также коллектора на расстоянии диффузионной длины .
1.2. Конструкция планарного транзистора
На рис. 6 показана типичная конструкция планарного n-p-n-транзистора .
Для изготовления прибора обычно используется низкоомная кремниевая
Э
К
Б
I
Б 0
I
Э 0
I
К 0
Рис. 5. Распределение стационарных потоков носителей
заряда в транзисторе в режиме отсечки .
-
+
+
n
p
n
U
ЭБ
U
КБ
                                                10

коллекторны й p-n-переход перестаетвы тягиватьиз базы неосновны еносители.
И з-за повы ш ения их концентрации возрастаетскоростьреком бинации в базеи
увеличивается ток базы . В озникает такж е и д ополнительная составляю щ ая
базового тока вслед ствие инж екции д ы рок из базы в коллектор, гд е они
реком бинирую тсэлектронам и. В результатеток базы становится сравним ы м с
током эм иттера, а токколлектора оказы вается небольш им по сравнению сним и
и опред еляется величиной послед овательного сопротивления в цепи
коллектора. Т ранзисторперестаетуправляться. Реж им насы щ ения используется
обы чно в клю чевы х устройствах из-за м алого пад ения напряж ения на
транзисторе (пад ения напряж ения на коллекторном и эм иттерном p-n-
переход ах ком пенсирую тд руг д руга). О д нако накоплениезаряд а в транзисторе
привод иткд лительном увы клю чению , посколькутранзистор перейд етвреж им
отсечки только послеисчезновения заряд а вбазе.
      Н а рис. 5 показано распред елениепотоков носителей вреж им еотсечки в
n-p-n-транзисторе. При этом в транзисторе протекаю точень м алы е обратны е
токи эм иттерного и коллекторного переход ов, возникаю щ ие вслед ствие
тепловой генерации в области эм иттера, базы , эм иттерного и коллекторного
переход ов, а такж еколлектора на расстоянии д иф ф узионной д лины .
                                     UЭ Б                    UК Б
                                 +          -            -          +


                          n                     p                       n
            IЭ 0                                                            IК 0


             Э                                                                К




                                        IБ0
                                                     Б

                   Рис. 5. Распред елениестационарны х потоковносителей
                   заряд а втранзисторевреж им еотсечки.



     1.2. Констр ук ция планар ного тр анзистор а

     Н а рис. 6 показана типичная конструкция планарного n-p-n-транзистора.
Д ля изготовления прибора обы чно используется низкоом ная крем ниевая

Страницы