Транзисторы. Петров Б.К - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

9
.10>
∆
∆
=
ЭБ
НK
U
U
RI
K
(1)
Коэффициент усиления по мощности на переменном сигнале в схеме с
ОБ равен :
Коэффициент усиления по напряжению для схем с ОБ и ОЭ равен :
(
)
,10
5,0
5,0
2
>=
∆
∆
≅
∆∆
∆
=
U
Б
Н K
БЭ
НК
у p
K
U
RI
UI
RI
K
(2)
а в схеме с ОЭ
(
)
,10
5,0
5,0
2121
2
>>=
∆
∆
=
∆∆
∆
=
U Э
ЭБ
НK
Э
ЭББ
Н K
у p
Kh
U
RI
h
UI
RI
K
(3)
где h
21Э
=∆I
K
/∆I
Б
– коэффициент передачи (усиления) тока в схеме с ОЭ на
малом сигнале.
В режиме насыщения транзистор находится тогда, когда напряжение
коллектор- эмиттер U
КЭ
становится меньше напряжения эмиттер- база U
ЭБ
. Это
происходит при низком напряжении питания E
пит
<U
ЭБ
, а также тогда, когда при
протекании больших токов напряжение питания E
пит
перераспределяется с
коллекторного p-n-перехода транзистора на последовательное сопротивление в
коллекторной цепи. Это сопротивление является суммой соединенных
последовательно сопротивления коллекторной области R
nK
и сопротивления
нагрузки R
Н
. Ток коллектора в режиме насыщения становится постоянным и
равным I
КН
=U
пит
/(R
Н
+R
nK
). При этом коллекторный p-n-переход , так же как и
эмиттерный, оказывается под прямым смещением . Распределение потоков
носителей для режима насыщения показано на рис.4. Прямосмещенный
Э
К
Б
I
Б.инж .Э
I
Б.рек
I
Э
I
К
I
Б
Рис. 4. Распределение стационарных потоков носителей
заряда в транзисторе в режиме насыщения .
I
Б.инж .К
-
+
+
-
ЭБ
U
КБ
npn
                                                      9

             ∆I K R Н
      KU =            > 10.                                                            (1)
             ∆U Э Б
      К оэф ф ициентусиления по м ощ ности на перем енном сигнале в схем е с
О Б равен:
      К оэф ф ициентусиления по напряж ению д ля схем сО Б и О Э равен:
             0,5(∆I К ) R Н ∆I K R Н
                        2
      K уp =               ≅         = K U > 10,                                       (2)
              0,5∆I Э ∆U Б   ∆U Б
а всхем есО Э
             0,5(∆I K ) R Н        ∆I K R Н
                         2
      K уp =                = h21Э          = h21Э K U >> 10,                          (3)
             0,5∆I Б ∆U Э Б        ∆U Э Б
гд е h21Э =∆IK/∆IБ – коэф ф ициент перед ачи (усиления) тока в схем е с О Э на
м алом сигнале.
      В реж им е насы щ ения транзистор наход ится тогд а, когд а напряж ение
коллектор-эм иттер UК Э становится м еньш е напряж ения эм иттер-база UЭ Б . Э то
происход итпри низком напряж ении питания Eпит

Страницы