Транзисторы. Петров Б.К - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

14
Напряжение пробоя в схеме с общим эмиттером и оторванной базой
U
КЭ0проб
меньше, чем в схеме с общей базой U
КБ0 проб
, и в планарных
транзисторах обычно составляет U
КЭ0 проб
=(0,5÷0,7)U
КБ0 проб
.
1.4. Частотные свойства биполярных транзисторов
Если между выводами эмиттер- база транзистора помимо постоянного
прямого смещения U
ЭБ0
подается малый переменный сигнал U
ЭБ1
е
jωt
(U
ЭБ1
<kT/q=26 мВ ,
1−= j
), то наряду с постоянными составляющими токов
I
Э 0
, I
Б0
, I
К0
возникают малые переменные токи эмиттера I
Э1
e
jωt
(<<I
Э 0
), базы
I
Б 1
e
j
ω
t
, коллектора I
К1
e
j
ω
t
. С ростом частоты переменного сигнала (ω→∞)
малосигнальные коэффициенты передачи тока в схеме с ОБ
1121
/)()(
ЭКБ
IIh
ω
ω
=
и ОЭ )(/)()(
1121
ω
ω
ω
БКЭ
IIh
=
всегда убывают, т.е.
усилительные свойства транзистора ухудшаются при ω→∞. Два основных
физических процесса ответственны за такое поведение параметров )(
21
ω
Б
h и
)(
21
ω
Э
h .
1). Рост с частотой составляющей базового тока перезарядки
диффузионной емкости эмиттера C
Э диф
:
Рис. 6. Выходные статические характеристики транзистора,
включенного по схеме с общим эмиттером :
I - область насыщения, II - активный режим ;
III - область лавинного пробоя.
I=0
Б
I>0
Б1
I>I
Б2 Б1
I>I
Б3 Б2
0
I
К
U
КЭ
U
КЭ0 проб
I
II
III
                                                  14

        Н апряж ение пробоя в схем е с общ им эм иттером и оторванной базой
UК Э 0проб м еньш е, чем в схем е с общ ей базой UК Б0 проб, и в планарны х
транзисторах обы чно составляетUК Э 0 проб=(0,5÷0,7)UК Б0 проб.



                 IК                                                        III
                         I                      II
                                                          IБ3>IБ2


                                                          IБ2>IБ1


                                                          IБ1>0


                                                         IБ =0

                   0                                                        UК Э 0 проб U
                                                                                          КЭ


                   Рис. 6. В ы ход ны естатическиехарактеристики транзистора,
                   вклю ченного по схем есобщ им эм иттером :
                   I - областьнасы щ ения, II - активны й реж им ;
                   III - областьлавинного пробоя.


       1.4.   Ч астотны е свойства биполяр ны хтр анзистор ов

        Е сли м еж д у вы вод ам и эм иттер-база транзистора пом им о постоянного
прям ого см ещ ения UЭ Б0 под ается м алы й перем енны й сигнал UЭ Б1еjωt
(UЭ Б1

Страницы