Транзисторы. Петров Б.К - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

15
,
1
1
1
1 ЭдифЭБ
Эдиф
ЭБ
СЭдифБ
CjU
Cj
U
I ω
ω
==
(6)
где
,0 прБnЭ
ЭБ
nБ
Эдиф
tI
dU
dQ
C ==
(7)
∫
=
К
Э
x
x
ЭnБ
dxxnqSQ )( - электронный заряд в p-базе n-p-n-транзистора при
заданных постоянных напряжениях U
ЭБ0
и U
КБ0
, t
прБ
– время пролета
неосновных носителей через базу.
В результате с частотой убывает малосигнальный коэффициент переноса
базы
.1)(
~
1
1
1
11
1
1
n Э
ЭдифБ
n Э
СЭдифБn Э
n Э
n К
n
I
С I
I
II
I
I
−=
−
== ωχ
(8)
2. Увеличение с частотой ω составляющей тока перезарядки барьерной
емкости эмиттерного перехода C
ЭБ
,
1
1
1
1 ЭБЭБ
ЭБ
ЭБ
СэбБ
CjU
Cj
U
I ω
ω
==
(8)
где
,
)(
)(
0
0
0
ЭБnЭp
ЭSi
ЭБЭБ
UL
S
UC
−
=
ε
ε
(9)
L
Э p-n
(U
ЭБ0
) – ширина эмиттерного p-n-перехода при постоянном смещении
U
ЭБ0.
Это явление вызывает уменьшение с частотой ω малосигнального
коэффициента инжекции эмиттера:
,
1
~
)(
~
1
1
0
111
1
n Э
ЭББ
n
СэбБp Эn Э
n Э
n
I
С I
III
I
+
=
++
=
γ
ωγ
(10)
где
99,095,0
~
11
1
0
÷≈
+
=
p Э n Э
n Э
n
II
I
γ
- низкочастотный коэффициент
инжекции эмиттера .
С учетом выражения (8) и соотношения I
nЭ1
=U
ЭБ1
/r
Э p-n
(r
Э p-n
=kT/(qI
Э 0
) –
дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n-перехода) формула (10)
примет вид :
γ
ωω
γ
ωγ
/1
~
)(
~
0
j
n
n
+
=
, (11) 
                                                                    15


                              UЭ Б 1
         I Б 1С Э д иф =                = U Э Б 1 jωC Э д иф ,                                       (6)
                               1
                             jωC Э д иф
                              dQnБ
         гд е C Э д иф =               = I nЭ 0 t п рБ ,                                             (7)
                              dU Э Б
                             xК
          QnБ = qS Э ∫ n( x)dx - электронны й заряд вp-базеn-p-n-транзистора при
                             xЭ
зад анны х постоянны х напряж ениях UЭ Б0 и UК Б0, tпрБ – врем я пролета
неосновны х носителей через базу.
      В результатес частотой убы ваетм алосигнальны й коэф ф ициентпереноса
базы
                    I              I nЭ 1 − I Б 1С Э д иф           I Б 1С   Э д иф
         χ~ n (ω ) = nК 1 =                                  = 1−                     .              (8)
                    I nЭ 1                 I nЭ 1                        I nЭ 1
      2. У величение с частотой ω составляю щ ей тока перезаряд ки барьерной
ем кости эм иттерного переход а CЭ Б
                          UЭ Б 1
         I Б 1С э б =               = U Э Б 1 jωC Э Б ,                                              (8)
                             1
                         jωC Э Б
                                       ε 0 ε Si S Э
         гд е C Э Б     (U Э Б 0 ) =                     ,                                           (9)
                                     LЭ p − n (U Э Б 0 )
         LЭ p-n(UЭ Б0) – ш ирина эм иттерного p-n-переход а при постоянном см ещ ении
UЭ Б0.
      Э то явление вы зы вает ум еньш ение с частотой                                     ω м алосигнального
коэф ф ициента инж екции эм иттера:
                                   I nЭ 1                      γ~n 0
         γ~n (ω ) =                                   =                   ,                         (10)
                         I nЭ 1 + I pЭ 1 + I Б 1С э б          I Б 1С Э Б
                                                            1+
                                                                  I nЭ 1
                                  I nЭ 1
         гд е γ~n 0 =                        ≈ 0,95 ÷ 0,99               -   низкочастотны й    коэф ф ициент
                             I nЭ 1 + I pЭ 1
инж екции эм иттера.
       С учетом вы раж ения (8) и соотнош ения InЭ 1=UЭ Б1/rЭ p-n (rЭ p-n=kT/(qIЭ 0) –
д иф ф еренциальное сопротивление эм иттерного p-n-переход а) ф орм ула (10)
прим етвид :
                           γ~n 0
         γ~n (ω ) =                 ,                                                               (11)
                        1+ jω / ω γ

Страницы