Транзисторы. Петров Б.К - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

18
учетом процессов накопления и рассасывания носителей в базе, а также
влияния паразитных емкостей транзисторной структуры С
ЭБ
и С
КБ
и схемы .
Можно показать , что времена переднего и заднего фронтов обратно
пропорциональны токам базы I
Б1
и I
Б2
соответственно, и тем меньше, чем время
пролета носителей через базу t
прБ
и меньше значения паразитных емкостей .
1.6. Описание лабораторного макета
Лабораторный макет предназначен для изучения усилительных свойств
транзисторов и переходных процессов в простейших транзисторных ключах .
Для изучения усилительных свойств биполярных транзисторов соедините
приборы в соответствии с рис. 12.
На рис. 13. показана схема соединения приборов для изучения
переходных процессов в транзисторном ключе.
Перед включением макета (рис.13) необходимо ознакомиться с
описанием генераторов и настроить оба генератора: один - в
автоколебательный режим , второй – в ждущий режим . Синхроимпульс
генератора 1 надо подать на вход внешнего запуска генератора 2. Выставить на
выходе генератора 1 полярность импульса, соответствующую состоянию
открытия (положительную для n-p-n-транзистора , отрицательную для p-n-p-
транзистора), а на выходе генератора 2 – состоянию закрытия . Выставить время
задержки выходного импульса генератора 2 таким образом , чтобы запирающий
импульс с генератора 2 следовал сразу за отпирающим . Полученный
разнополярный импульс с крутыми фронтами и возможностью раздельной
Источник
питания
10 В
Осциллограф
Звуковой
генератор
Выход
R
Б
R
К
p-n-p
n-p-n
Рис. 12. Схема макета для изучения усилительных свойств биполярного
транзистора .
                                             18

учетом процессов накопления и рассасы вания носителей в базе, а такж е
влияния паразитны х ем костей транзисторной структуры СЭ Б и СК Б и схем ы .
М ож но показать, что врем ена перед него и зад него ф ронтов обратно
пропорциональны токам базы IБ1 и IБ2 соответственно, и тем м еньш е, чем врем я
пролета носителей через базуtпрБ и м еньш езначения паразитны х ем костей.


     1.6. О писание лабор атор ного мак ета

     Л абораторны й м акетпред назначен д ля изучения усилительны х свойств
транзисторови переход ны х процессоввпростейш их транзисторны х клю чах.
     Д ля изучения усилительны х свойствбиполярны х транзисторовсоед ините
приборы всоответствии срис. 12.

                              p-n-p        n-p-n           И сточник
                                              RК            питания
                                                              10 В
                                      RБ
   Звуковой
   генератор
        В ы ход



                             О сциллограф




   Рис. 12. Схем а м акета д ля изучения усилительны х свойствбиполярного
   транзистора.
       Н а рис. 13. показана схем а соед инения приборов д ля изучения
переход ны х процессоввтранзисторном клю че.
       Перед вклю чением м акета (рис.13) необход им о ознаком иться с
описанием генераторов и настроить оба генератора: од ин - в
автоколебательны й реж им , второй – в ж д ущ ий реж им . Синхроим пульс
генератора 1 над о под атьна вход внеш него запуска генератора 2. В ы ставитьна
вы ход е генератора 1 полярность им пульса, соответствую щ ую состоянию
откры тия (полож ительную д ля n-p-n-транзистора, отрицательную д ля p-n-p-
транзистора), а на вы ход егенератора 2 – состоянию закры тия. В ы ставитьврем я
зад ерж ки вы ход ного им пульса генератора 2 таким образом ,чтобы запираю щ ий
им пульс с генератора 2 след овал сразу за отпираю щ им . Полученны й
разнополярны й им пульс с круты м и ф ронтам и и возм ож ностью разд ельной

Страницы